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薛伟

作品数:2 被引量:4H指数:2
供职机构:中国科学院研究生院更多>>
发文基金:国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇蛋白
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇生物传感
  • 1篇生物传感器
  • 1篇迁移率
  • 1篇球蛋白
  • 1篇晶体管
  • 1篇各向异性腐蚀
  • 1篇硅基
  • 1篇感器
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇HEMT
  • 1篇传感
  • 1篇传感器
  • 1篇传感器设计

机构

  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...

作者

  • 2篇李加东
  • 2篇吴东岷
  • 2篇谢杰
  • 2篇薛伟

传媒

  • 1篇压电与声光
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
硅基自锐式纳米针尖一次成型制作工艺的研究被引量:2
2013年
对采用KOH溶液腐蚀单晶硅制备自锐式纳米针尖的一次成型制作工艺进行了研究,为提高自锐式纳米针尖的纵横比,根据各向异性腐蚀针尖的自锐效应模型,分析了腐蚀溶液的浓度及掩模形状对针尖形状的影响,得到了提高自锐式纳米针尖纵横比的条件,实验结果表明,在15mol/L,60℃的KOH腐蚀液中采用五边形掩模可获取纵横比约等于1,针尖曲率半径小于10nm的自锐式纳米针尖,针尖侧壁由{113}晶面组成。
薛伟李加东谢杰吴东岷
关键词:各向异性腐蚀
高灵敏度AlGaN/GaN HEMT生物传感器设计及制作被引量:2
2012年
目前AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器表面修饰及分子识别元件固定需在金属或氧化物门电极上进行,针对金属或氧化物门电极的存在增加了器件的制作难度,提高了制作成本,同时还影响了传感器灵敏度的提高等问题,提出了进行"生物分子膜"门电极的研究。传感器的表面采用3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)进行修饰作为分子识别元件固定的基底,该方法在降低传感器的制作成本的同时,提高了传感器的灵敏度,传感区域为长度L=5μm、宽度W=160μm的传感器测量质量浓度为0.1ng/mL的山羊免疫球蛋白(IgG)时,传感器源漏间电流呈现约30μA的电流降。该传感器反应速度快,适用于实时监测,在环境监控、医疗等领域有着良好的应用前景。
薛伟李加东谢杰吴东岷
关键词:生物传感器
共1页<1>
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