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蔡先武

作品数：3 被引量：7H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇PECVD

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇赵崇友
  • 1篇蔡先武

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PECVD制备氮化硅薄膜的研究被引量：6
2011年
采用PECVD法制备了氮化硅薄膜,探讨了沉积参数对氮化硅薄膜折射率的影响和衬底温度对氮化硅薄膜形貌和成分的影响规律。结果表明,不同的NH3流量可改变反应腔体内的氮硅比,对氮化硅的折射率,即减反射性能影响较大;衬底温度是影响氮化硅薄膜形貌和成分的主要因素;在衬底温度达到400℃时,形成了白色团状或岛状的氮化硅膜。
赵崇友蔡先武
关键词：PECVD氮化硅薄膜
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