您的位置： 专家智库 > >

杨仕俄

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
发文基金：河南省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇散射截面
  • 1篇微晶硅
  • 1篇微晶硅薄膜
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅烷
  • 1篇分子
  • 1篇分子碰撞

机构

  • 1篇南开大学
  • 1篇郑州大学
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇新乡学院

作者

  • 1篇李维强
  • 1篇谷锦华
  • 1篇魏长春
  • 1篇姚鹏
  • 1篇高哲
  • 1篇李云居
  • 1篇卢景霄
  • 1篇赵尚丽
  • 1篇郭学军
  • 1篇文书堂
  • 1篇杨仕俄

传媒

  • 1篇四川大学学报...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
电子与硅烷分子碰撞的散射截面对微晶硅生长影响
2009年
较为系统的研究了甚高频化学气相沉积在高压高功率下生长的微晶硅薄膜.给出了功率密度-气体流量和压强-功率密度的二维相图.用朗缪尔探针测出薄膜沉积时等离子体内部电子温度,并用麦克斯韦-玻尔兹曼分布进行拟合给出电子能量分布函数.由电子能量分布函数出发通过单电子碰撞模型给出等离子体内部各种基浓度的计算公式.并通过数值模拟给出等离子体中 SiH_2,SiH_3等基的浓度.利用 SiH_2与 SiH_3比值,结合表面扩散模型,解释气压-功率密度相图中随电子温度的增加(功率的增加),晶化率增大的现象.
文书堂姚鹏卢景霄李云居李维强魏长春谷锦华杨仕俄郭学军高哲赵尚丽
关键词：微晶硅薄膜散射截面
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0