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张春华

作品数:6 被引量:13H指数:2
供职机构:华侨大学信息科学与工程学院更多>>
发文基金:国家科技支撑计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术冶金工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 3篇冶金工程
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇粒度表征
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控反应...
  • 2篇纳米
  • 2篇晶格
  • 2篇溅射
  • 2篇反应溅射
  • 2篇超晶格
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控反应溅射
  • 1篇调Q
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究
  • 1篇锁模
  • 1篇碳化钨
  • 1篇团聚体
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇热稳定性研究
  • 1篇钨粉

机构

  • 6篇华侨大学
  • 2篇南京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇郭亨群
  • 6篇张春华
  • 5篇王国立
  • 4篇宋志华
  • 2篇徐骏
  • 2篇陈坤基
  • 1篇吴志军
  • 1篇申继伟
  • 1篇王启明
  • 1篇苏培林

传媒

  • 1篇华侨大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
纳米碳化钨粉的制备和晶粒粗化动力学研究
2009年
用工业化生产设备制备纳米碳化钨粉,采用XRD、BET、SEM、FESEM、TEM对样品的物相、粒度及其分布进行了表征,研究了不同退火温度和不同退火保温时间对晶粒大小的影响。实验结果表明,纳米碳化钨粉粒度为90nm左右时大多数近似球形。对纳米WC晶粒长大机理进行了研究,发现温度是影响纳米WC晶粒长大的一个重要因素,随着退火温度的升高,纳米WC晶粒尺寸增大,而且纳米WC晶粒粗化符合经典的LSW理论。
张春华郭亨群王国立宋志华吴冲浒吴其山
关键词:粒度表征晶粒
纳米碳化钨粉体的热稳定性研究被引量:1
2009年
以工业化生产设备条件制备纳米碳化钨粉末,对样品在不同温度下退火,采用X射线衍射法(XRD)、比表面积法(BET)、冷场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、激光光散射法对退火前后样品的物相、粒度及其分布进行表征。研究结果表明,温度是影响纳米WC颗粒长大的一个重要因素,随着退火温度升高,纳米WC颗粒尺寸随之增大。同时在不同升温速率下测的DSC吸收峰值,计算了纳米WC颗粒的长大激活能。在此基础上,对实验现象产生的原因进行了分析讨论。
张春华郭亨群王国立宋志华吴冲浒吴其山
关键词:粒度表征
纳米钨粉体的表征及其晶格畸变分析被引量:5
2009年
以工业化生产技术成功地制备了不同粒径的纳米W粉体,采用EDS、SEM和XRD对样品的含量、形貌、物相进行了表征,并计算了其晶格参数和晶胞体积。结果表明,纳米W粉体为bcc晶态结构,晶格发生收缩;随着晶粒尺寸的减小,晶格参数和晶胞体积收缩率增大,且晶格畸变率与粒径的倒数呈正比线性关系。
宋志华郭亨群张春华王国立吴冲浒吴其山吴志军
关键词:晶格畸变
a-Si/a-SiN_x超晶格材料光学特性被引量:1
2009年
采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料。利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究。结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应。在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成。
张春华郭亨群王国立申继伟徐骏陈坤基
关键词:量子限制效应射频磁控反应溅射
纳米碳化钨粉体的粒度表征被引量:4
2010年
以工业化生产设备制备纳米碳化钨粉,采用X射线衍射谱(XRD)、比表面积法(BET)、冷场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、激光动态光散射仪对样品的物相、粒度及其分布进行表征,探讨其测量原理.实验结果表明:纳米碳化钨粉的平均颗粒尺寸为90 nm,大多数近似球形,也有一部分呈多角形.为了能更准确地测量纳米碳化钨粉颗粒的粒径,分散剂中的样品要有较好的分散,才能破坏团聚体,同时纳米碳化钨粉颗粒的形状对激光动态光散射仪的测量结果具有重要的影响.
张春华郭亨群宋志华吴冲浒吴其山
关键词:碳化钨纳米粉末粒度表征团聚体
nc-Si/SiNx超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模被引量:2
2008年
采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm时,获得平均脉宽35ps的锁模脉冲序列。根据实验现象结合薄膜结构,分析了材料调Q与锁模的产生机制,并研究了不同工作条件下的调Q输出性能。
王国立郭亨群苏培林张春华王启明徐骏陈坤基
关键词:超晶格薄膜调Q锁模射频磁控反应溅射
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