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孟疌

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅片
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇热电
  • 1篇热电效应
  • 1篇子结构
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇硅片
  • 1篇N型

机构

  • 1篇北京科技大学

作者

  • 1篇徐桂英
  • 1篇赵志远
  • 1篇孟疌

传媒

  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
N型多孔单晶硅片的热电性能研究
2006年
半导体硅热电材料原材料极为丰富，而且安全无毒。尽管硅材料有着比较大的塞贝克系数，但是由于硅的热导率太高而电导率偏低导致热电性能低而不适用于热电材料。为了解决这一问题，本文采用电化学腐蚀的方法制备了N型多孔硅。采用物理气相沉积和电化学腐蚀相结合的方法在硅片上的纳米孔中镶嵌InSb，实现实空结合量子结构。这一结构大大提高了N型硅材料的热电优值，为研制具有高热电转化效率的热电材料开辟了一个新的途径。
赵志远徐桂英孟疌
关键词：热电效应电化学腐蚀
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共1页<1>
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