2024年8月31日
星期六
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
孟疌
作品数:
1
被引量:0
H指数:0
供职机构:
北京科技大学
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
更多>>
相关领域:
理学
更多>>
合作作者
赵志远
北京科技大学
徐桂英
北京科技大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
理学
主题
1篇
单晶
1篇
单晶硅
1篇
单晶硅片
1篇
电化学腐蚀
1篇
热电
1篇
热电效应
1篇
子结构
1篇
化学腐蚀
1篇
硅片
1篇
N型
机构
1篇
北京科技大学
作者
1篇
徐桂英
1篇
赵志远
1篇
孟疌
传媒
1篇
中国材料科技...
年份
1篇
2006
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
N型多孔单晶硅片的热电性能研究
2006年
半导体硅热电材料原材料极为丰富,而且安全无毒。尽管硅材料有着比较大的塞贝克系数,但是由于硅的热导率太高而电导率偏低导致热电性能低而不适用于热电材料。为了解决这一问题,本文采用电化学腐蚀的方法制备了N型多孔硅。采用物理气相沉积和电化学腐蚀相结合的方法在硅片上的纳米孔中镶嵌InSb,实现实空结合量子结构。这一结构大大提高了N型硅材料的热电优值,为研制具有高热电转化效率的热电材料开辟了一个新的途径。
赵志远
徐桂英
孟疌
关键词:
热电效应
电化学腐蚀
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张