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一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷，材料化学式组成为CaxY3‑xAl5‑xTixO12，其中x＝1...; 余盛全敬畏尹文龙胥涛方攀窦云巍袁泽锐陈莹唐明静康彬张羽谢靖

一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷，材料化学式组成为CaxY3‑xAl5‑xTixO12，其中x＝1...; 余盛全敬畏尹文龙胥涛方攀窦云巍袁泽锐陈莹唐明静康彬张羽谢靖; 文献传递

大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备被引量：3: 2020年; 磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶,单次合成量达到600 g;采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZGP单晶;通过工艺优化、定向、切割、退火、抛光和高能束流辐照等处理工艺,成功实现大口径(12 mm×12 mm×50 mm)ZGP晶体器件制备,器件在2.09μm的吸收系数仅为0.03 cm^-1,可以用于大能量和高平均功率红外激光输出。; 袁泽锐窦云巍窦云巍方攀陈莹康彬; 关键词：晶体生长

新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征: 2020年; 锶镉锗硒(SrCdGeSe 4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe 4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe 4单晶,尺寸为∅27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe 4晶片,选取一片8×8×2 mm^3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值。结果显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8″,该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1~14μm波长范围内透过率超过68%;另外,晶体在Nd∶YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm^2。; 陈莹袁泽锐袁泽锐谢婧方攀尹文龙康彬; 关键词：坩埚下降法单晶生长

中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备被引量：3: 2020年; 镝掺杂硫镓铅(Dy∶PbGa2S4,Dy∶PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料。为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy∶PGS单晶。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy∶PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy∶PbGa2S4单晶,尺寸达到Φ27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy∶PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础。; 方攀袁泽锐袁泽锐尹文龙陈莹; 关键词：晶体生长

大口径超低吸收系数中红外磷锗锌晶体与器件制备被引量：3: 2022年; 光参量振荡(OPO)技术是目前实现全固态可调谐高功率3~5μm中红外激光的主流方案,其核心是红外非线性光学晶体,晶体品质决定红外激光功率水平。磷锗锌(ZnGeP_(2),ZGP)晶体性能优异,被称为“中红外非线性光学晶体之王”,但在0.7~2.2μm附近存在异常的光学吸收带,这阻碍了ZGP OPO功率的进一步提升。针对这一问题,采用自制的梯度冷凝炉,结合超低梯度冷凝技术,生长出3.8~5.0 cm大尺寸ZGP单晶,通过定向、切割、退火、抛光、镀膜等处理后,成功实现了多种规格OPO器件的生产,最大器件尺寸达30 mm×30 mm×40 mm,器件在波长2.09μm和1.064μm处的吸收系数分别低至0.015 cm^(-1)和0.4 cm^(-1)。采用单块超低吸收ZGP OPO器件,实现了3~5μm高功率中红外激光输出,功率达107 W,斜率效率为75%,光光效率为61.8%,光束质量(M^(2))为3.1左右。; 袁泽锐窦云巍窦云巍陈莹尹文龙陈莹; 关键词：激光技术

一种用于晶体制备的高精度定位牵引装置: 本实用新型公开了一种用于晶体制备的高精度定位牵引装置。它包括定位系统、负载系统、传动系统和控制系统；所述传动系统两端分别连接所述定位系统和所述负载系统，所述控制系统通过数据线分别连接所述定位系统和所述负载系统；所述控制系...; 唐明静康彬窦云巍袁泽锐张羽余盛全尹文龙方攀陈莹; 文献传递

新型红外非线性光学晶体BaGa2GeSe6的生长与器件制备被引量：2: 2020年; 钡镓锗硒(BaGa2GeSe6,BGGSe)晶体是由中国科学家发明的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。目前国内未见到关于该晶体的大尺寸制备报道。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出BGGSe多晶,单次合成量达到400 g;采用坩埚下降法生长出大尺寸高质量BGGSe单晶,尺寸为Φ30 mm×90 mm,为国内首次;通过定向、切割和抛光等处理工艺,成功制备出BGGSe晶体器件,为该晶体下一步的应用研究打下了坚实基础。; 方攀袁泽锐陈莹尹文龙姚吉勇康彬; 关键词：坩埚下降法晶体生长

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陈莹