薛飞
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：江西科技学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程理学电子电信更多>>
- 氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用低压化学气相沉积(LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化,但BZO薄膜的导电能力却明显提高。Hall测试结果表明:在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变,但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。
- 李旺唐鹿杜江萍薛飞辛增念罗哲刘石勇
- 关键词：ZNO薄膜光学性能载流子浓度
- 钇掺杂BiFeO_3多铁陶瓷的Rietveld结构精修及其物理特性
- 2017年
- 采用传统固相法制备了钇掺杂的BiFeO_3(BFO)陶瓷,对它的结构和微观形貌、介电和磁电特性进行了表征。从实验结果来看:钇掺杂的BFO陶瓷的最佳烧结温度是850℃,在该温度下,钇掺杂的BFO陶瓷有很高的致密度,具有优良的磁学特性,并且观察到明显的磁电效应。Rieveld结构精修结果表明,钇掺杂的BFO主要由菱方相的BFO和立方相的钇铁石榴石(Y_3Fe_5O_(12))组成,成分比例约为0.9:0.1。
- 薛飞李旺唐鹿辛增念罗哲
- 关键词：BIFEO3磁电
- Y掺杂Ca_(1-x)Y_xCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的制备及其介电性能研究被引量：4
- 2016年
- 采用固相反应法制备了Y掺杂的CaCu_3Ti_4O_（12）（CCTO）陶瓷,研究了Y掺杂量对Ca_（1-x）Y_（2x/3）Cu_3Ti_4O_（12）（x=O%,1%,3%,5%）陶瓷的物相结构、微观形貌和介电性能影响,对Y掺杂影响CCTO陶瓷介电性能的机理进行了分析。结果表明：Y掺杂量在1~5 mol%时对CCTO陶瓷的相结构基本无影响;然而,当Y掺杂量达到3 mol%时,CCTO陶瓷的晶粒长大被明显抑制。Y掺杂量为1~3 mol%时,不仅可以提高CCTO陶瓷的介电常数,而且可以同步降低其介电损耗,从而有助于CCTO陶瓷的综合介电性能的提升。
- 李旺杜江萍唐鹿薛飞辛增念罗哲
- 关键词：介电性能
