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ZnOS外延薄膜特性研究: ZnO是非常有潜力的宽禁带半导体材料[1]。已经有许多工作对ZnO阳离子掺杂改性进行了详细的研究,如MgZnO、CdZnO等[2,3]。然而对于ZnO的阴离子掺杂研究相对并不充分。; 黎明锴朱家昆罗明海邰佳丽刘攀克方龙何云斌; 关键词：固溶度电子结构脉冲激光沉积第一性原理

PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜被引量：5: 2016年; 采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在衬底温度为750℃时所制备的薄膜具有较好的晶体质量,并表现出与蓝宝石衬底明确的外延关系[ZnS(001)∥Al_2O_3(001)且ZnS(110)∥Al_2O_3(110)]。进一步研究了在750℃下加入不同厚度的ZnO缓冲层对于ZnS薄膜晶体质量的影响,结果表明在沉积ZnS薄膜前先沉积一层ZnO薄膜缓冲层可以进一步有效提高ZnS薄膜的晶体质量和面外取向性,其中在沉积时间为2min的ZnO缓冲层上制备的ZnS外延薄膜晶体质量最好,其(002)面摇摆曲线半高宽为1.35°。本文结论对于研究ZnS薄膜制备光电器件具有重要的意义。; 张蕾方龙刘攀克刘越彦黎明锴何云斌; 关键词：脉冲激光沉积 ZNS薄膜

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方龙