张桂花
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中材高新材料股份有限公司更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- 252kV四级污秽棒形支柱瓷绝缘子花釉缺陷原因分析及解决方法探讨被引量：2
- 2008年
- 对比分析了干法生产的252kV四级和三级污秽棒形支柱瓷绝缘子的工艺特点,认为四级污秽棒形支柱瓷绝缘子产生花釉缺陷的原因是:伞间距小、伞伸出大,施釉操作时坯体旋转,伞根部位暴露不完全,釉浆很难喷到伞根部位。在保证产品机械性能、电气性能和冷热性能的前提下,将大伞根厚度由22.67 mm减小到17.61 mm,小伞根厚度由20.07 mm减小到15.66mm,大伞与小伞之间杆径直线距离增加2.64mm、小伞与大伞之间杆径直线距离增加2.69mm,两伞之间距离由67.76mm增加为70.11mm;爬电距离增加(用一组伞作为对比)5.61mm;杆径未变化;伞间最小距离70.11mm;伞间距和伞伸出之比0.926;大小伞伸出之差17.5 mm;伞倾角17°。实验证明伞形结构优化后,为施釉操作创造了条件,瓷检合格率明显提高,较好地解决了花釉缺陷问题。
- 桑建华司志涛张桂花韩红英曹怀章
