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孙家振

作品数:1 被引量:5H指数:1
供职机构:清华大学机械工程学院摩擦学国家重点实验室更多>>
发文基金:国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:机械工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇抛光
  • 1篇抛光液
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇材料去除率

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇朱永华
  • 1篇戴媛静
  • 1篇雒建斌
  • 1篇潘国顺
  • 1篇孙家振

传媒

  • 1篇润滑与密封

年份

  • 1篇2007
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
颗粒等抛光液组分对硬盘盘基片抛光的影响被引量:5
2007年
硬盘盘基片粗抛光必须在较高材料去除率的基础上获得高表面质量。分别用合成法和粉碎法制得的α-A l2O3颗粒做了抛光实验,并分析了抛光液中氧化剂、络合剂含量和抛光液pH值对材料去除率的影响机制。结果表明:用合成法制得的颗粒抛光后基片表面凹坑严重,降低抛光液配方中氧化剂的含量,虽可使表面粗糙度(Ra)和表面波纹度(Wa)大幅降低,但材料去除率也大幅下降,该颗粒不适合基片粗抛光;用粉碎法制得的颗粒抛光后基片表面划痕密集,加入一定量的减阻剂后基片Ra和Wa大幅降低,材料去除率有所降低但仍维持在较高的水平,因此减阻剂可平衡该颗粒的材料去除率和抛光表面质量;粉碎法制得的颗粒抛光液中,随氧化剂和络合剂的增加,材料去除率均呈先升后降趋势;pH值的升高会使材料去除率下降,但酸性太强会引起过腐蚀,适宜的pH在2.0-3.0之间。
孙家振潘国顺朱永华戴媛静雒建斌李维民
关键词:化学机械抛光材料去除率
共1页<1>
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