包扬
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：毫米波国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 快速求解导体电磁散射问题的插值退化核方法
- 2014年
- 退化核函数将积分方程的核函数展开为场源点分离的函数积,可以用于构造积分方程的快速求解算法,项数少、精度高的退化核函数是快速算法的关键。文中针对导体电磁散射问题,研究由两种插值技术构造的退化核,推导了由拉格朗日(Lagrange)多项式和指数型高斯径向基函数构造的退化核,并比较了它们的精度和效率。此外,引入一种新的近表面插值点网格来减少退化核的项数。最后,结合H矩阵框架实现了导体电磁散射问题的快速求解,数值例算验证了插值退化核的有效性,近表面网格的采用可以显著提高算法的计算效率,相比均匀网格,计算时间减少将近45%。
- 潘灿林包扬薄亚明程崇虎
- 关键词：电磁散射拉格朗日多项式径向基函数
