采用热氧化技术在金属铌箔片上生长了Nb2O5纳米线,利用X射线衍射光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物的物相、形貌和微结构进行表征,并研究了纳米线的光吸收及光催化染料降解特性。结果表明,热氧化所得Nb2O5纳米线为四方相结构,直径约为20-60 nm。当氧气流量为25 m L/min（sccm）时,纳米线生长致密、长径比高,构成网络结构。随着氧气流量的增加,纳米线的数量和致密程度逐渐下降。紫外可见吸收光谱表明,Nb2O5纳米线为直接带隙半导体,带隙宽度为3.42 e V。此外,Nb2O5纳米线在波长为365 nm的紫外光照射下对亚甲基蓝、甲基橙和罗丹明B等染料均具有光催化降解性能,效率因子分别为-0.025、-0.021和-0.008 min^-1。
