陈磊
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计
- 2014年
- 利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅（SOI）CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷（SP16T）天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六路开关分支的插损0~3GHz频段内均小于2dB,隔离度平均大于35dB,回波损耗小于-20dB,功率处理能力超过36dBm,完全满足设计要求。
- 崔杰陈磊赵鹏康春雷史佳牛旭刘轶
- 关键词：回波损耗插入损耗隔离度
- 一种应用于无线局域网802.11a/n的高功率线性功率放大器设计被引量：1
- 2014年
- 提出一种应用于无线局域网802.11a/n的高功率高线性度InGaP/GaAs异质结晶体管功率放大器。通过采用新颖的线性偏置电路和带宽拓展电路,该功放实现了在64正交振幅调制正交频分复用信号输入激励下,误差向量幅度(EVM)在3%时实现超过21dBm的线性输出功率,在超过1GHz频段内实现超过31dB的小信号增益。
- 陈磊崔杰赵鹏康春雷史佳牛旭刘轶
- 关键词：高线性度无线局域网N
- 用于“北斗二号”导航系统的低噪声放大器设计被引量：3
- 2014年
- 基于0.5μm InGaAs pHEMT工艺,设计了一款应用于"北斗二号"导航系统的共源共栅低噪声放大器,其工作频率为1 575.42MHz。该设计采用具有源端电感负反馈的电路结构,实现良好的输入匹配和反向隔离性能。输出端采用T-型匹配,支持大功率信号传输。测试结果表明,该低噪声放大器的增益S21为17.9dB,噪声系数NF为0.92dB,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别为-9.9dB和-10.9dB,在2.85V电压下,功耗为22mW,且芯片面积仅为0.46mm2,满足北斗导航系统要求。
- 陈俊安崔杰金婕陈磊康春雷史佳艾宝丽刘轶
- 关键词：低噪声放大器共源共栅
- 用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计被引量：5
- 2014年
- 提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷（SP8T）天线开关设计，该开关采用绝缘体上硅（SOI）I艺实现。由于衬底电阻率高达1000Ω·am，且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧，实测结果表明，该款开关的插入损耗在0～2．4GHz频段内均小于ldB，隔离度平均大于35dB，功率处理能力也达到了36dBm以上，完全满足设计需求。
- 陈磊赵鹏崔杰康春雷史佳牛旭刘轶
- 关键词：插入损耗
