- 中子辐照6H-SiC晶体的退火特性及缺陷观测被引量：5
- 2012年
- 利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(full width at half maximum,FWHM)增大,之后又随退火温度的升高,在700～1 230℃范围内呈线性规律的回复。以此规律为依据,可发展一种适合测量高温和复杂温度场温度的测温方法。采用添加了K2CO3的KOH为腐蚀剂,对辐照前、辐照后及辐照后退火的掺氮6H-SiC单晶进行位错腐蚀观察,发现经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM随退火温度的变化趋势基本一致,由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的一个重要因素。
- 阮永丰黄丽王鹏飞马鹏飞贾敏祝威
- 关键词：中子辐照退火位错
- 中子辐照Al2O3晶体的缺陷及退火恢复研究
- 用剂量为5.74×1018 cm-2的中子对Al2O3晶体进行了辐照，利用吸收光谱等手段观测了中子辐照引起的损伤及其恢复。中子辐照产生了大量的阴离子单空位（F和F+）、阴离子双空位（F2）及其它更高阶的缺陷。通...
- 马鹏飞阮永丰贾敏李文润张宇晖张守超王丹丽
- 关键词：退火处理
- 温度梯度法生长Er:BaY2F8晶体的开裂研究
- 对温度梯度法生长Er：BaY2F8晶体的开裂现象进行了研究，从理论上讨论了温场分布、生长速率热应力和稀土离子掺杂对晶体开裂的影响，实验上分析了垂直于解理面方向上膨胀系数的变化对晶体开裂造成的影响。给出了晶体生长的最佳工艺...
- 张守超阮永丰李广慧马鹏飞王丹丽贾敏张灵翠李文润
- 关键词：激光晶体晶体生长温度梯度法
- 中子辐照6H-SiC晶体中的钉扎效应被引量：3
- 2009年
- 分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×1018n.cm-2、8.2×1018n.cm-2和1.72×1019n.cm-2的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤。结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品。样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构。晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加。
- 阮永丰马鹏飞贾敏李文润张宇晖张守超王丹丽
- 关键词：SIC中子辐照辐照缺陷钉扎
- 在AAO模板中合成氧化锌纳米线的研究
- 利用直流电沉积法在阳极氧化铝模板的有序孔洞中生长了锌纳米线，然后通过高温氧化的方法，将锌氧化成氧化锌，最终得到了氧化锌/氧化铝组装体。用扫描电显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对其形貌及成为进行表征和分析，结果表明...
- 王丹丽阮永丰张灵翠杨红波张守超贾敏马鹏飞马阳进
- 关键词：多孔阳极氧化铝氧化锌纳米线
- 中子辐照Al_2O_3的缺陷及退火恢复研究被引量：1
- 2009年
- 用剂量为5.74×1018cm-2的中子对Al2O3晶体进行了辐照,利用吸收光谱等手段观测了中子辐照引起的损伤及其恢复。中子辐照产生了大量的阴离子单空位(F和F+)、阴离子双空位(F2)及其它更高阶的缺陷。通过等时退火,发现低阶的阴离子单空位缺陷在较低温度下即可恢复,而高阶的缺陷则会在退火过程中得到加强,新的吸收峰(更高阶的缺陷)也会在退火过程中出现,在1000℃退火温度下,所有缺陷全部恢复。
- 马鹏飞阮永丰贾敏李文润张宇晖张守超王丹丽
- 关键词：AL2O3中子辐照吸收光谱
- 中子辐照对6H-SiC晶体比热容的影响被引量：9
- 2009年
- 用剂量为8.2×1018/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照。采用X射线衍射仪、差示扫描量热仪测试6H-SiC晶体中辐照损伤。结果表明:中子辐照对6H-SiC样品产生了严重损伤,且辐照后的6H-SiC的比热容明显上升。对辐照样品进行了常温至1200℃的退火处理,退火后的辐照样品的比热容先随退火温度的升高而逐渐降低,1000℃时比热容到达最低值;当退火温度超过1000℃时晶体的比热容反而上升。运用从头算方法定性计算了晶体中间隙原子对比热容的影响。结果表明:晶体经中子辐照及退火后,其比热容发生变化的主要原因在于晶体中间隙原子的浓度的变化。辐照后的样品在超过1000℃退火时比热容的反常回升现象,极有可能与辐照前对晶体所作的在1000℃的预退火处理有关。
- 马鹏飞阮永丰洪晓峰张守超贾敏张宇晖
- 关键词：中子辐照比热容
