苏浩
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院微电子电路与系统研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金上海市“科技创新行动计划”更多>>
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- 8～25 GHz 1:8高速分频器的设计
- 2014年
- 采用IBM0.13μm CMOS工艺,在锁相环系统电源电压2.5V的条件下,以三级分频器级联的方式实现了一款8-25GHz 1∶8高速分频器电路。为了获得更高的工作速度和灵敏度,设计中对传统的伪差分结构锁存器进行了拓扑和版图优化,基本的二分频单元由锁存器和输出缓冲级电路构成,以保证版图布线后信号传输的衰减最低。后仿真结果表明：在电源电压2.5V时,分频器的核心电路（第一级）功耗为21.75mW,对应的版图尺寸为70μm×35μm;在输入信号峰峰值900mV的条件下,分频范围达到8-25GHz,并通过了所有工艺角和温度仿真。
- 张楠陆泼苏浩石春琦张润曦
- 关键词：CMOSPLL
- 应用于EoC芯片的宽带低噪声下混频器设计
- 2014年
- 基于SMIC 0.13μm RFCMOS工艺,提出了一种可应用于EoC（Ethernet over Cable）芯片接收机的输出阻抗可调（200~500Ω）的宽带低噪声下混频器,覆盖了接收机系统中1.2~2.4GHz工作频段。Cadence SpectreRF后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,该混频器的输入3阶交调点为3.5~5dBm,转换增益为10~18.2dB,单边带噪声系数为4.1~5.8dB,静态电流为20mA。该电路可在-40℃~85℃较大温度范围和3~3.6V电源电压下正常工作。
- 郭东君苏浩聂丹萍石春琦张润曦
- 关键词：宽带低噪声EOC
- 一种高性能宽带直接变频射频前端设计
- 2014年
- 提出一种宽带(250MHz^4.7GHz)无电感BiCMOS射频前端结构,包含低噪声跨导放大器(LNTA)、带电阻无源混频器和跨阻级。低噪声跨导放大器使用了噪声和线性度消除技术,例如输入交叉耦合结构、互补输入和电流复用技术。带电阻无源混频器采用退化电阻来提高线性度。仿真结果表明,当电源电压为3.3V时,总电流为9.38mA,噪声系数为9.8dB(SSB),电压转换增益为20dB,输入3阶交调为+11.8dBm。
- 苏浩郭东君张楠石春琦张润曦
- 关键词：无源混频器宽带噪声消除
