王磊
- 作品数：136 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺兵器科学与技术更多>>
- 一种立式互联金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法
- 本发明提供了一种立式互联金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法，立式互联金属陶瓷封装外壳包括下陶瓷基板、上陶瓷基板、金属墙和盖板；下陶瓷基板上设有第一金属柱，下陶瓷基板的上表面用于生长金属墙；上陶瓷基板上设有第二金属柱，上陶瓷...
- 李仕俊唐晓赫闫妍徐达左国森王磊张延青姜兆国高飞龙韩鹏飞宋军霞王亚龙郭雪林刘松涛庞宏伟
- 瓦片式T/R组件
- 本发明适用于射频微波组件技术领域，提供了一种瓦片式T/R组件，包括：金属盒体，上侧面开设有第一凹槽，N*N个用于放置射频插接件的通道分布设置在所述第一凹槽周围；N*N个通道构成对称分布的M个区域，任一区域与不同方向上相邻...
- 张瑜郝金中周扬王磊赵瑞华白锐汤晓东
- 文献传递
- 信号连接用三维垂直互联结构及方法
- 本发明提供了一种信号连接用三维垂直互联结构，属于芯片封装微波信号互联技术领域，包括盒体、上基板、下基板及至少一个用于信号连接的引线，盒体的正面设置有开口朝上并用于容纳上基板的上腔体，反面设置有开口朝下并用于容纳下基板的下...
- 张瑜郝金中周扬赵瑞华李增路王磊宋学峰王飞王海涛
- 文献传递
- 栅极稳压系统及装置
- 本发明提供一种栅极稳压系统及装置。该系统包括：电源调制模块、档位锁定模块和栅压驱动模块，电源调制模块的第一输入端用于连接外部电源，电源调制模块的第二输入端用于连接外供逻辑电平的第一输出端，电源调制模块的第一输出端用于连接...
- 王鑫马琳王绍权徐林王磊周彪宋学峰袁彪刘阔赵子轩董雪
- 阶梯型结构窄带FBAR滤波器
- 本实用新型涉及滤波器技术领域，提供了一种阶梯型结构窄带FBAR滤波器，上述滤波器包括：输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器；多个串臂谐振器包括：依次串联连接在输入端和输出端之间的第一谐振器至第六谐振器；...
- 王胜福李丽李宏军张仕强王磊于江涛张韶华李亮梁东升王飞韩易张璇卞丽哲贾文霞
- 文献传递
- 一种半导体器件及半导体器件组件
- 本实用新型涉及半导体器件技术领域，提供一种半导体器件及半导体器件组件，该半导体器件包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一薄膜体声波谐振器至第六薄...
- 李丽张仕强李宏军王胜福王磊张韶华李亮梁东升韩易李猛邓佳惠黄蕊胡笑宁
- 空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件
- 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件，该滤波器包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一至第六薄膜体声波谐振...
- 张仕强李丽李宏军王胜福李增路潘海波王磊于江涛杨亮李亮梁东升李明武韩易王静张根壮
- 文献传递
- GaAs开关FET功率特性的研究被引量：3
- 2019年
- 在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分析,发现频率下降会降低开关FET的栅压,从而降低开关FET低频下的功率容量。通过增加栅极电阻来提高栅极电压,进而增加开关FET功率容量。最后通过实际的开关电路验证了增大栅极电阻可有效提高开关电路的功率容量,对今后的开关类器件设计工作起到一定的指导意义。
- 王磊马伟宾刘帅
- 关键词：砷化镓功率容量
- 一种抗单粒子效应的加固技术研究被引量：2
- 2022年
- 针对数字波控电路在星载控制电路应用中存在的单粒子翻转效应问题,提出了一种基于DICE单元的双稳态D触发器设计改进,设计了一种能够抵御众多类型单粒子翻转效应的D触发器,并基于该D触发器,结合电路级单粒子加固技术设计了一款串并转换芯片。测试表明,采用改进D触发器结构的波控芯片能够抵御至少80 MeV的单粒子效应事件。芯片峰值功耗不大于10 mA,写入速率不低于10 MHz,功耗为1 mW/MHz。
- 齐贺飞王磊王鑫王绍权张梦月
- 关键词：单粒子效应抗辐照三模冗余
- 一种射频前端芯片结构
- 本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电...
- 杨琦刘帅白银超要志宏王磊李丰王凯崔亮郭丰强王海龙杨楠陈南庭杜晨浩刘星
- 文献传递
