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李颖

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇锑化铟
  • 1篇半导体
  • 1篇薄膜型
  • 1篇磁阻元件

机构

  • 1篇沈阳仪表科学...

作者

  • 1篇于成民
  • 1篇安银姬
  • 1篇李颖

传媒

  • 1篇仪表技术与传...

年份

  • 1篇1991
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
薄膜型锑化铟磁阻元件的研制
1991年
本文用相平衡理论和半导体材料内电流分布状态的理论模型分析了半导体磁阻元件制造工艺和结构设计中的问题。提出了锑化铟磁阻元件的结构设计原则和三温度源蒸镀锑和铟薄膜及制备高灵敏度锑化铟薄膜的热处理工艺条件。试制出了R_B/R_0≥1.75的磁阻元件。主要技术指标达到了目前国际同类产品水平。
于成民安银姬李颖
关键词：锑化铟磁阻元件半导体
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共1页<1>
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