- 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管低阻值电极的研究
- 随着人们对平板显示（FPD）的尺寸和分辨率的要求越来越高，在更大尺寸和更高分辨率的显示领域，显示驱动用的薄膜晶体管（TFT）的电极线电阻要最大程度的减小。另一方面，非晶铟镓锌氧（a-IGZO）薄膜晶体管凭借其良好的性能（...
- 吴崎
- 关键词：薄膜晶体管
- 文献传递
- 退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响被引量：2
- 2016年
- 非晶铟钨氧(a-IWO)薄膜晶体管(TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机理。实验结果表明,随着退火温度的升高,a-IWO TFT的场效应迁移率也相应增加,这是由于高温退火下a-IWO薄膜中氧空位含量增多并进而导致载流子浓度增加的缘故。此外,a-IWO TFT的亚阈值摆幅和阈值电压在200℃下退火达到最佳,我们认为主要原因在于此时a-IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前沟道界面状态。
- 许玲吴崎董承远
- 关键词：退火温度氧空位
- 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银/钛源漏电极的研究被引量：4
- 2016年
- 为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)阵列的低电阻电极非常关键。本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了底栅结构的a-IGZO TFT器件。实验发现,具有单层银源漏电极的器件电学特性较差,这是因为银与a-IGZO之间不能形成良好的欧姆接触。另一方面,通过增加钛中间层而形成的Ag/Ti电极在保持低电阻的同时能够有效阻止银原子扩散并与a-IGZO形成较好的接触状态。最终制备的以Ag/Ti为源漏电极的a-IGZO TFT具有明显改善的电学特性,场效应迁移率为1.73cm^2/V·s,亚阈值摆幅2.8V/(°),开关比为2×10~7,由此证明了磁控溅射制备的银电极具有应用于非晶氧化物薄膜晶体管的实际潜力。
- 吴崎许玲董承远
- 关键词：薄膜晶体管
