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陈昕
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1
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供职机构:
同济大学
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相关领域:
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合作作者
金威
上海交通大学微电子学院
黄海超
同济大学
何卫锋
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微电子学与计...
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2015
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一种改进型Data-aware结构的亚阈值SRAM电路
2015年
针对传统Data-aware结构SRAM读操作过程中出现的行半选择带来的功耗浪费问题,提出了一种改进型data-aware 9T结构的SRAM电路.与传统SRAM相比,该结构通过Cross-Point读的访问方式解决了读过程中被选中行中,由于半选择单元存在读通路引起的位线功耗浪费问题.实验数据表明,提出的SRAM电路,至多可以降低514%位线上消耗的功耗.测试电路采用0.13μm工艺,设计了一个16kb SRAM电路,工作电压为420mV,平均功耗为5.37μW.
黄海超
陈昕
金威
何卫锋
关键词:
亚阈值
低功耗
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