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表面印迹法制备钴(Ⅱ)离子印迹硅胶及性能被引量：11: 2011年; 采用表面印迹技术,以Co(Ⅱ)离子作为印迹离子,二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷为功能分子,硅胶为支撑物,环氧氯丙烷为交联剂,在硅胶表面制备Co(Ⅱ)离子印迹硅胶材料,利用红外光谱仪、扫描电镜和热重分析仪等进行了表征,采用平衡吸附法研究了印迹硅胶材料的吸附性能和选择识别能力.结果表明,印迹硅胶材料和非印迹硅胶材料的最大吸附量分别为35.2和6.5 mg/g;印迹硅胶材料对Co(Ⅱ)离子的吸附行为符合Langmuir模型;20 min即可达到吸附平衡;当pH=3.9～7.8时,印迹硅胶材料保持了较好的吸附容量;印迹硅胶材料对Co(Ⅱ)离子具有较强的选择性识别能力;重复使用时性能稳定.; 范洪涛隋殿鹏赵立兴任泽岩袁自云周勤孙挺; 关键词：钴

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赵立兴