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赵云

作品数:4 被引量:7H指数:1
供职机构:华南理工大学材料科学与工程学院特种功能材料教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇电池
  • 2篇光电
  • 2篇光电池
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇MEH-PP...
  • 1篇氧化锌
  • 1篇有机-无机复...
  • 1篇闪锌矿
  • 1篇无机
  • 1篇锌矿
  • 1篇纳米ZNO
  • 1篇纳米电子
  • 1篇纳米电子学
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米氧化锌
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶体管特性

机构

  • 4篇华南理工大学
  • 1篇加州大学

作者

  • 4篇覃东欢
  • 4篇陶洪
  • 4篇赵云
  • 2篇兰林峰
  • 1篇周健伟
  • 1篇蒋希
  • 1篇韩丽丽
  • 1篇曹镛
  • 1篇罗潺

传媒

  • 1篇化工新型材料
  • 1篇应用化工
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空与低温

年份

  • 4篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
纳米氧化锌的制备及其与MEH-PPV共混光电池器件性能研究被引量:4
2008年
利用溶胶-凝胶法,以醋酸锌为前驱体,制备了纳米ZnO颗粒及纳米棒,用TEM和XRD分别研究了ZnO纳米的形貌和结构特征;用旋涂及热蒸镀的方法将纳米ZnO和聚苯乙烯撑(MEH-PPV)的混合体制成有机-无机复合光电池薄膜器件。结果表明,MEH-PPV的荧光随着ZnO含量的增加出现明显的淬灭现象,器件在标准模拟太阳光照射下,获得了1.0%的能量转化效率,和国际报道的ZnO-聚合物共混太阳能电池1.6%的能量转化效率接近。
覃东欢陶洪赵云周健伟罗潺
关键词:纳米ZNO有机-无机复合光电性能
三方晶硒纳米线的大面积合成及其场效应晶体管特性被引量:1
2008年
采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线。利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米的形貌结构特征。结果表明,硒纳米线为单晶结构,生长方向沿[001]面,平行于螺旋轴。结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术,成功制备了硒纳米线场效应晶体管器件。初步测试表明,这种硒纳米线为p型半导体。
赵云陶洪兰林峰覃东欢曹镛
关键词:光刻场效应晶体管
闪锌矿CdSe纳米晶的可控合成及其与MEH-PPV共混光电池的器件性能研究被引量:1
2008年
采用溶剂热方法制备了闪锌矿CdSe纳米颗粒,利用TEM、XRD、荧光分析仪对其形貌、结构及光学性能进行了表征。结果表明,纳米颗粒的直径在3~5nm左右,为闪锌矿结构;其吸收峰在600nm左右,并与合成CdSe纳米晶所用的羧酸盐的链长略有差别;将CdSe与MEH-PPV(聚苯乙烯撑)共混,发现有明显的荧光淬灭现象;共混材料制成光电池器件,在模拟太阳光照射下获得了0.85%的能量转化效率。
覃东欢赵云陶洪韩丽丽蒋希
关键词:CDSE纳米晶光电性能
Se及Cu_2Se纳米线的大面积合成及其纳米电子学器件性能被引量:1
2008年
通过液相化学反应制备了高质量硒(Se)纳米线,同时以Se纳米线为模板,合成了Cu2Se纳米线。利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米线的形貌结构特征。结果显示,Se纳米线为单晶结构,生长方向沿其[001]面。结合先进的光刻技术及磁控溅射,成功制备了Se和Cu2Se纳米电子学器件。初步测试表明,这种Se纳米线为p型半导体,而Cu2Se纳米线则表现出明显的相变行为。这些发现有利于开发纳米线场效应晶体管以及相变存储器件方面的应用。
赵云覃东欢陶洪兰林峰Keith Chan
关键词:SE纳米线
共1页<1>
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