您的位置： 专家智库 > >

贺琪

作品数：30 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 12篇抗辐射
  • 11篇单粒子
  • 7篇微电子
  • 5篇电阻
  • 5篇多晶
  • 4篇电路
  • 4篇电子器件
  • 4篇隧穿
  • 4篇微电子器件
  • 4篇发射结
  • 4篇高抗
  • 4篇NPN
  • 3篇单粒子烧毁
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇碳纳米管晶体...
  • 3篇微电子工艺
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米管
  • 3篇晶体管
  • 3篇抗辐射加固

机构

  • 29篇中国电子科技...

作者

  • 29篇贺琪
  • 17篇洪根深
  • 8篇谢儒彬
  • 8篇郑若成
  • 7篇顾祥
  • 7篇李燕妃
  • 6篇刘国柱
  • 6篇王印权
  • 5篇徐政
  • 5篇徐海铭
  • 5篇王蕾
  • 4篇朱少立
  • 4篇吴素贞
  • 2篇赵文彬
  • 1篇江月艳
  • 1篇张世权
  • 1篇赵文斌
  • 1篇王传博
  • 1篇马敏辉

传媒

  • 3篇电子与封装
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇微处理机

年份

  • 4篇2024
  • 11篇2022
  • 7篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2013
  • 1篇2009
共 30 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种单多晶EEPROM开关单元结构
本发明公开一种单多晶EEPROM开关单元结构，属于微电子器件领域，包括p型Si衬底、浅槽隔离STI、栅氧化层、多晶层和衬垫。p型Si衬底上形成有高压p阱和n阱；若干个浅槽隔离STI将p型Si衬底的表面分成三部分区域：开关...
宋思德葛江晖郑若成贺琪刘国柱徐蓓蕾
一种Flash开关单元结构及其制备方法
本发明公开一种Flash开关单元结构的制备方法，属于微电子器件领域。在同一衬底上制备编程管T1、信号传输管T2和擦除管T3。编程管T1用来进行单元的编程操作、擦除管T3用来进行单元的擦除操作、信号传输管T2与外围逻辑电路...
宋思德刘国柱陈浩然郑若成张海良贺琪
一种基于抗辐射SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构
本发明公开一种基于抗辐射SOI工艺的GGNMOSESD保护器件结构，属于半导体集成电路领域。本发明将N型源漏注入层次缩至有源区TO层里面，工艺上通过光刻来实现，这样的设计可以有效解决抗辐射加固注入工艺导致的保护器件击穿电...
顾祥贺琪张庆东谢儒彬吴建伟
文献传递
一种基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺及结构
本发明公开一种基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺及结构，属于微电子工艺制造领域。提供衬底，并在其表面依次制作中间金属布线、反熔丝底层金属和底层金属阻挡层；进行MTM反熔丝ONO叠层介质的淀积；进行顶层金属阻挡层...
王印权郑若成洪根深 吴建伟贺琪 胡君彪 郝新焱
高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法
本申请公开了一种高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法，属于存储器制造技术领域，所述高抗辐射磁随机存储器件包括：衬底；形成在所述衬底上的碳纳米管晶体管；磁性隧道结存储单元，所述磁性隧道结存储单元形成在所述碳纳米管晶体管的上方...
施辉张海良徐何军曹利超王印权吴建伟洪根深贺琪
文献传递
提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法
本发明公开一种提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，属于MOSFET制备领域。提供衬底，在其表面形成外延层；制作不同深度与宽度P阱，形成倒三角P阱；制作源端和体接触端；进行低温湿氧氧化SiO2生长；进行多晶硅的...
徐海铭贺琪廖远宝徐政吴素贞唐新宇
一种高抗辐射加固VDMOS栅氧反向击穿制备方法
本发明公开一种高抗辐射加固VDMOS栅氧反向击穿制备方法，属于MOSFET制备领域。提供衬底，在其表面形成外延层；按照P阱光罩的图形制作形成P阱形貌；制作源端和体接触端；在表面生长栅氧氧化SiO2形成栅氧氧化层；在栅氧氧...
徐海铭贺琪廖远宝吴素贞徐政唐新宇
文献传递
一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法
本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。通过在n<Sup>+</Sup>型GaN衬底和n<Sup>‑</Sup>型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层，并结...
吴素贞徐政徐海铭洪根深贺琪赵文彬吴建伟谢儒彬
文献传递
薄硅膜SOI器件辐射效应研究被引量：1
2020年
为适应SOI技术的发展,探索相关材料参数受辐射影响程度及器件的抗辐射性能,研究了不同硅膜厚度SOI器件的总剂量辐射效应。采用^60Co作为辐射源,所选器件的辐射性能通过晶体管前栅和背栅的阈值电压漂移量进行表征。实验结果显示,所选的本单位SOI工艺的硅膜厚度必须大于205 nm才能保证器件的抗总剂量辐射能力,针对此结论利用TCAD软件进行仿真验证,归纳出相应的物理机制。对电路静态电流特性对总剂量辐射的敏感性也给出了相关的讨论与评估。
贺琪顾祥纪旭明李金航赵晓松
关键词：硅膜阈值电压静态电流
一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法
本发明公开一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法，属于VDMOS制备技术领域。首先提供衬底，在其表面形成外延层；制作P阱；制作源端和体接触端；进行高温栅氧干氧氧化SiO2分段生长的第一次生长；进行低温栅氧干氧...
徐海铭徐政贺琪洪根深吴建伟赵文斌廖远宝
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0