王淼
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究被引量：3
- 2013年
- 基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。
- 顾占彪王淼
- 6～18GHz宽带50 W功率放大器的研制被引量：5
- 2017年
- 为满足电子系统快速发展的需求,研制了一种6~18GHz宽带50 W功率放大器。产品由四级放大器组成,级间设计有宽带均衡器,解决了宽带放大器增益不平衡问题。针对功率单片输出功率低的问题,采用微带功率合成的方法,将8个功率单片合成后输出。测试结果表明,功率放大器在6~18GHz,输出功率53 W,效率12%,功率增益58dB,功率放大器尺寸为215mm×95mm×23mm。
- 王淼李涛宋俊魁
- 关键词：宽带功率放大器均衡器
- 宽带多节Wilkinson功率分配器的研制被引量：1
- 2013年
- 利用Ansoft公司的Serenade软件对设计的宽带Wilkinson功分器模型进行仿真优化,制作了工作于1.5～12.0 GHz的宽带功率分配器,仿真结果和实物测试结果比较接近,并给出了导致偏差出现的几种可能原因。该功率分配器在整个频带范围内具有良好的性能指标:插损≤0.63 dB,隔离度≥15 dB,输入驻波比≤1.52,输出驻波比≤1.5。
- 孙长友顾占彪王淼
- 关键词：宽带插损隔离度
- V波段的微带线波导转换结构、制备方法及应用
- 本发明提供一种V波段的微带线波导转换结构、制备方法及应用，其中，结构包括顶层金属层、中间介质层和底层金属层；顶层金属层上靠近微带线波导转换结构的微带线连接处设有一传输线接口区，且传输线接口区上未设有金属层；底层金属层在远...
- 王淼洪求龙厉志强李静强黄玉红袁婧怡潘旭
- 功率程控发射机的设计
- 2018年
- 介绍一种可编程控制输出功率的发射机。阐述发射机工作原理;对控制电路进行设计,对软件程序进行说明。控制电路包括功率耦合及检测电路、自动电平控制电路等;软件程序包括电压函数获取及调用,并对设计过程中需要注意的方面进行说明。通过实际产品测试,发射机具有较好的工程实用性。
- 王淼
- 关键词：单片机功率控制
- 无机填料复合比例对复合薄膜性能的影响
- 2024年
- 本工作基于导热复合薄膜性能的研究,提供了一种新型导热复合薄膜的制备方法。通过将不同添加量的氮化硼(BN)和二氧化硅(SiO_(2)_(2))加入到聚丁二烯树脂(PB)中,结合涂覆工艺制备了高导热BN/SiO_(2),填充的复合薄膜材料。系统研究了不同添加量BN对BN/SiO_(2),填充的复合薄膜材料的微观形貌、导热性能、介电性能、抗剥性能和热膨胀系数的影响。结果表明:随着BN含量的增大,复合薄膜表面缺陷逐渐增加,介电常数略有下降,介电损耗略有升高,抗剥强度也下降,X-Y-Z轴的热膨胀系数也都逐渐增大。最终,当BN/SiO_(2),添加质量比例为10:30时(BN添加量为10%),BN/SiO_(2),填充的复合薄膜材料的综合性能表现最佳,导热系数为0.75W^(-1)K^(-1),介电常数为3.20,介电损耗因子为3.12*10^(-3),抗剥强度为2.2Nm^(-1),和适宜的热膨胀系数。有望为新型高导热复合薄膜材料的开发提供一种新的实用型思路。
- 王淼
- 关键词：氮化硼二氧化硅介电性能导热性能
