沈川
- 作品数：19 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制被引量：4
- 2011年
- 基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论,修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究,实验结果与理论曲线基本吻合,从理论角度解释了不同高温热处理条件对材料体内位错的抑制作用.对于厚度为4～10μm的CdTe/Si进行500℃快速退火1 min,可使位错密度降低0.5～1个数量级,最好结果为2.5×105cm-2.
- 沈川顾仁杰傅祥良王伟强郭余英陈路
- 关键词：碲镉汞热退火位错分子束外延
- 多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析被引量：1
- 2013年
- 前期研究采用高温热处理方法,获得了抑制位错的最佳退火条件.通过比对实验,发现不同衬底上HgCdTe表面的CdTe钝化层在热处理过程中对位错的抑制作用各有不同.结合晶格失配应力和热应力对不同异质结构进行理论计算,借助X射线摇摆曲线的倒易空间分析,解释了CdTe钝化层对HgCdTe位错抑制的影响作用.
- 沈川顾仁杰陈路何力
- 关键词：碲镉汞热退火位错应力
- 分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究
- 2022年
- 对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易于形成符合设计参数的PN结轮廓,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,原位As掺杂HgCdTe的As浓度的大小和纵向分布随着不同的Hg分压而发生改变。并通过理论计算获得了不同Hg分压下的As扩散系数。同时,通过数值模拟对不同As扩散长度的P-on-N器件结构进行了暗电流模拟,验证了As掺杂结深推进工艺的重要性。
- 沈川杨辽刘仰融卜顺栋王高陈路何力
- 关键词：碲镉汞热退火
- 分子束外延HgCdTe nBn结构红外探测器的理论计算和优化被引量：1
- 2016年
- 通过2维数值模拟对HgCdTe nBn红外探测器的光电性质进行了研究.理论计算了nBn结构中各层的参数的变化(包含厚度的变化、掺杂浓度的变化以及组分)对器件性能的影响规律.通过优化上述器件结构参数,理论上获得了最优化结构的HgCdTe nBn器件,为获得高性能MBE外延HgCdTe nBn红外探测器提供重要参考.
- 沈川陈路傅祥良王伟强卜顺栋何力
- 关键词：分子束外延HGCDTE数值模拟
- HgCdTe分子束外延材料研究进展及其应用
- 阐述了针对第三代红外焦平面的应用需求所进行的碲镉汞分子束外延研究进展.面向大规模HgCdTe红外焦平面探测器的应用,开展了大面积替代衬底上的分子束外延技术研究,报道了在大面积替代衬底上的碲镉汞分子束外延材料的晶体质量、表...
- 陈路何力傅祥良顾仁杰王伟强沈川胡晓宁叶振华林春丁瑞军
- 关键词：红外焦平面探测器碲镉汞材料分子束外延
- 文献传递
- 分子束外延生长的HgCdTe NBN结构的理论计算和优化研究
- 众所周知,由于HgCdTe材料具有高吸收系数、高量子效率、波段可调等优点,已成为制作红外光电探测器以及新一代红外焦平面器件发展的优选材料.然而,常规结构的HgCdTe材料都面临着P型掺杂的问题.不管是Hg空位掺杂还是As...
- 沈川陈路傅祥良王伟强何力
- 分子束外延生长HgCdTe/CdZnTe
- 本文描述了实验室分子束外延生长HgCdTe/CdZnTe的最新研究结果.借助RHEED原位监测工具,对比分析了不同装片工艺条件下(装片工艺过程是否在保护气体氛围中进行)CdZnTe衬底脱氧及后续外延生长CdTe的情况,发...
- 王伟强傅祥良沈川王莹张彬王高杨凤陈路何力
- 关键词：微电子学分子束外延
- 文献传递
- 中波PIN结构碲镉汞雪崩器件变温特性的数值模拟研究被引量：3
- 2021年
- 本文对中波HgCdTeAPD进行二维数值模拟,通过与实验结果的对比获得80K下PIN结构的APD器件参数。对不同工作温度下的APD器件暗电流机制进行了研究,发现在高工作温度下,影响暗电流的主要是SRH(小偏压)和雪崩机制(大偏压)。对在高工作温度情况下各层参数的变化引起器件性能的变化进行了研究,对不同层厚度、掺杂浓度对器件性能的影响进行了相应理论计算,并对计算结果进行相应的对比研究,获得了理论上最优化的HgCdTeAPD高温器件结构,为后续高工作温度的APD器件的研发提供重要参考。
- 沈川杨辽郭慧君杨丹陈路何力
- 关键词：HGCDTE
- MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活被引量：1
- 2017年
- 采用As掺杂和激活技术制备的p+-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一,得到了广泛关注.采用变温IV拟合的方法,对不同As掺入浓度与器件结性能相关性进行了分析,发现降低结区内As掺杂浓度可以有效抑制器件的陷阱辅助隧穿电流.拟合结果表明,较高浓度的Nt很可能与高浓度As掺入相关.因此As的稳定均匀掺入和激活被认为是主要技术挑战.实验研究了分子束外延过程中Hg/Te束流比与As掺入效率的关系,发现相对富Hg的外延条件有助于提高As掺杂效率.研究还发现As的晶圆内掺杂均匀性与Hg/Te束流比的均匀性密切相关.对As的激活退火进行了研究,发现在饱和Hg蒸汽压中采用300℃/16h+420℃/1 h+240℃/48 h的退火条件能明显提升碲镉汞中As原子的激活率.
- 赵真典陈路傅祥良王伟强沈川张彬卜顺栋王高杨凤何力
- 关键词：红外焦平面碲镉汞分子束外延
- MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管被引量：7
- 2013年
- 对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压.通过对材料特性(组分,外延厚度,掺杂浓度等)的优化,设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料,并进行了器件验证.结果显示,在10 V反偏电压下,该器件电流增益可达335.
- 顾仁杰沈川王伟强付祥良郭余英陈路
- 关键词：碲镉汞雪崩光电二极管
