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高性能25～30GHz 6位单片数控衰减器被引量：3: 2016年; 采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款高性能25~30GHz 6位单片数控衰减器芯片。电路采用6个基本衰减单元级联结构,通过控制不同衰减位导通状态组合形成64个衰减状态,给出在衰减电阻上并联的衰减结构。仿真结果表明,所设计的数控衰减器具有0.5dB的衰减步进和31.5dB的最大衰减范围;插入损耗小于5.7dB,回波损耗优于-10dB;所有状态衰减精度小于＋0.5dB,附加相移小于-6.0°,衰减幅度均方根误差小于0.21dB,芯片尺寸为2.0mm×1.0mm,可提高衰减精度。; 张博赵晶张晗李金蕾; 关键词：数字衰减器砷化镓赝配高电子迁移率晶体管

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李金蕾