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李秀军
作品数:
6
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供职机构:
东南大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘斯扬
东南大学
陆生礼
东南大学
时龙兴
东南大学
孙伟锋
东南大学
叶然
东南大学
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绝缘埋层
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高电子迁移率...
1篇
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电容特性
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1篇
电势差
机构
6篇
东南大学
作者
6篇
李秀军
5篇
孙伟锋
5篇
时龙兴
5篇
陆生礼
5篇
刘斯扬
3篇
叶然
2篇
陈欣
1篇
任晓飞
年份
2篇
2019
1篇
2018
1篇
2017
2篇
2016
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6
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一种厚膜SOI-LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法
一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法,包括P型衬底,在P型衬底上设有一层埋氧化层,在埋氧化层上方有N型漂移区,N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区,在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区,...
孙伟锋
李秀军
叶然
魏家行
杨翰琪
刘斯扬
陆生礼
时龙兴
文献传递
一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法
一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法,包括P型衬底,在P型衬底上设有一层埋氧化层,在埋氧化层上方有N型漂移区,N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区,在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区,...
孙伟锋
李秀军
叶然
魏家行
杨翰琪
刘斯扬
陆生礼
时龙兴
一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管
一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管,包括:Si基衬底,在Si基衬底上形成有AlN成核层,在AlN成核层上形成有本征GaN层,在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层,在AlGaN掺杂层上表面形成栅绝缘层...
孙伟锋
魏家行
陈欣
李秀军
刘斯扬
陆生礼
时龙兴
1.2kV SiC JFET器件SPICE模型研究
碳化硅(SiC)半导体材料具有宽禁带、高饱和速度、高临界电场及高热导率等优势,然而,SiC/SiO2界面存在大量缺陷,限制了碳化硅金属氧化物半导体器件(SiC MOSFET)在高温与高频下的应用。结型场效应晶体管(JFE...
李秀军
关键词:
结型场效应晶体管
碳化硅衬底
电容特性
一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管
一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管,包括:N型衬底,在N型衬底上设有P型外延层,在P型外延层的内部设有P型体区和N型漂移区,在P型体区内设有N型源区和P型体接触区,在N型漂移区中设有N型缓冲层,在N型缓冲层中设有...
刘斯扬
任晓飞
李秀军
叶然
方云超
孙伟锋
陆生礼
时龙兴
文献传递
一种增强型绝缘埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管
一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管,包括:Si基衬底,在Si基衬底上形成有AlN成核层,在AlN成核层上形成有本征GaN层,在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层,在AlGaN掺杂层上表面形成栅绝缘层...
孙伟锋
魏家行
陈欣
李秀军
刘斯扬
陆生礼
时龙兴
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