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李秀军

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇氧化层
  • 3篇晶体管
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇阳极
  • 2篇阴极
  • 2篇增强型
  • 2篇栅绝缘层
  • 2篇迁移率
  • 2篇埋层
  • 2篇接触区
  • 2篇绝缘层
  • 2篇绝缘埋层
  • 2篇厚膜
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 1篇电离
  • 1篇电容
  • 1篇电容特性
  • 1篇电势
  • 1篇电势差

机构

  • 6篇东南大学

作者

  • 6篇李秀军
  • 5篇孙伟锋
  • 5篇时龙兴
  • 5篇陆生礼
  • 5篇刘斯扬
  • 3篇叶然
  • 2篇陈欣
  • 1篇任晓飞

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种厚膜SOI-LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法
一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，...
孙伟锋李秀军叶然魏家行杨翰琪刘斯扬陆生礼时龙兴
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一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法
一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，...
孙伟锋李秀军叶然魏家行杨翰琪刘斯扬陆生礼时龙兴
一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管
一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅绝缘层...
孙伟锋魏家行陈欣李秀军刘斯扬陆生礼时龙兴
1.2kV SiC JFET器件SPICE模型研究
碳化硅（SiC）半导体材料具有宽禁带、高饱和速度、高临界电场及高热导率等优势，然而，SiC/SiO2界面存在大量缺陷，限制了碳化硅金属氧化物半导体器件（SiC MOSFET）在高温与高频下的应用。结型场效应晶体管（JFE...
李秀军
关键词：结型场效应晶体管碳化硅衬底电容特性
一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管
一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区中设有N型缓冲层，在N型缓冲层中设有...
刘斯扬任晓飞李秀军叶然方云超孙伟锋陆生礼时龙兴
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一种增强型绝缘埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管
一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅绝缘层...
孙伟锋魏家行陈欣李秀军刘斯扬陆生礼时龙兴
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