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徐信: 作品数：10 被引量：1H指数：1; 供职机构：云南师范大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

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一种具有硫组分梯度的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法: 本发明公开了一种具有硫组分梯度的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，包括以下步骤：将钠钙玻璃放入磁控溅射腔室，沉积双层钼背电极；利用磁控溅射系统，按ZnS/CuS/Sn/CuS的顺序进行多周期分步溅射，沉积铜锌锡硫预制层薄膜；将预...; 王书荣杨帅徐信李新毓李祥王亭保; 文献传递

一种具有锗梯度的铜锌锡锗硒吸收层薄膜的制备方法: 本发明公开了一种具有锗梯度的铜锌锡锗硒吸收层薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)钼层和锗层的制备：在预处理后的所述衬底上依次沉积第一钼层、锗层、第二钼层；(3)铜锌锡硫预制层的制备；(4)铜锌锡锗硒...; 王书荣杨帅徐信李新毓李祥王亭保; 文献传递

一种简单结构制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法: 本发明公开了一种采用简单结构制备铜锌锡硫（Cu2ZnSnS4）薄膜电池的方法，其特征在于采用硫化物靶和金属单质锡靶溅射制备铜锌锡硫薄膜预制层，然后对预制层进行高温硫化，将得到的...; 王书荣陆熠磊李志山蒋志杨敏徐信

铜锡锗硫（CTGS）材料及薄膜太阳电池的制备与研究: 铜锡硫(CuSnS,CTS)薄膜材料由于成分无毒,元素含量丰富及较高的吸收系数(>10cm),元素比例易调控等优点,很适于用作薄膜太阳电池的吸收层。目前,报道的CTS薄膜太阳电池的最高转化效率仅为4.63%,远低于理论效...; 徐信; 关键词：薄膜太阳电池磁控溅射硫化工艺; 文献传递

一种简单结构制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法: 本发明公开了一种采用简单结构制备铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)薄膜电池的方法，其特征在于采用硫化物靶和金属单质锡靶溅射制备铜锌锡硫薄膜预制层，然后对预制层进行高温硫化，将得到的...; 王书荣陆熠磊李志山蒋志杨敏徐信; 文献传递

一种具有硫组分梯度的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法: 本发明公开了一种具有硫组分梯度的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，包括以下步骤：将钠钙玻璃放入磁控溅射腔室，沉积双层钼背电极；利用磁控溅射系统，按ZnS/CuS/Sn/CuS的顺序进行多周期分步溅射，沉积铜锌锡硫预制层薄膜；将预...; 王书荣杨帅徐信李新毓李祥王亭保

硫化温度-时间曲线对铜锌锡硫薄膜性能的影响: 2017年; 采用溅射法制备含硫预制层,硫化时采用不同的升温速率对经过合金处理的含硫预制层进行退火硫化。通过表征薄膜的表面粗糙度,致密性,均匀性来研究硫化时升温速率对薄膜表面形貌的影响。结果表明当升温速率变慢时,薄膜中的CZTS颗粒逐渐增大,虽然较大的颗粒能减少单位面积内的晶界,但是薄膜的表面粗糙度却随颗粒尺寸的增大而逐渐下降。通过对薄膜的元素组分、晶体结构、相成分进行了检测,确定出薄膜的成分为贫铜富锌的单相锌黄锡矿。再通过测量相应的没有Mo层的CZTS薄膜样品的光电特性来间接的反映拥有Mo层的CZTS薄膜的光电特性。最终制备出结构为SLG/Mo/CZTS/Cd S/i-Zn O/AZO/Ni/Al-grid的CZTS薄膜太阳电池,其中转换效率最高的电池为3.60%。; 李琦蒋志杨剑杨敏陆熠磊刘思佳徐信王书荣; 关键词：太阳电池磁控溅射硫化

一种具有锗梯度的铜锌锡锗硒吸收层薄膜的制备方法: 本发明公开了一种具有锗梯度的铜锌锡锗硒吸收层薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)钼层和锗层的制备：在预处理后的所述衬底上依次沉积第一钼层、锗层、第二钼层；(3)铜锌锡硫预制层的制备；(4)铜锌锡锗硒...; 王书荣杨帅徐信李新毓李祥王亭保

硫化物靶与单质靶制备Cu_2ZnSnS_4薄膜的比较研究被引量：1: 2019年; 为了验证磁控溅射硫化物靶替代单质靶制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜及太阳电池的可行性与优越性,采用多周期磁控溅射ZnS-Sn-CuS和Zn-Sn-Cu制备CZTS薄膜,并分析了使用不同溅射靶材对薄膜晶体结构、相纯度、表面粗糙度、化学组分、表面、截面形貌及光电特性的影响。按SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al结构制成完整的电池器件并测量了J-V曲线。结果显示采用ZnS-Sn-CuS靶制备的CZTS薄膜太阳电池开路电压为611 mV,短路电流密度为21.28mA/cm^2,光电转换效率达5.11%;而以单质靶为基础制备的太阳电池开路电压为594mV,短路电流密度为18.56 mA/cm^2,光电转换效率为4.13%。这归因于采用ZnS-Sn-CuS制备的CZTS薄膜相比于单质靶更加平整致密,纵向生长更好。证明了采用硫化物靶制备CZTS薄膜及太阳电池相较于单质靶的优越性。; 徐信王书荣马逊杨帅李耀斌杨洪斌; 关键词：太阳电池

磁控溅射Sn和CuS靶制备铜锡硫薄膜电池: 2018年; 为了验证采用金属单质靶与硫属化合物靶混合溅射法制备Cu_2Sn S_3(CTS)薄膜及太阳电池的可行性,在镀钼的钠钙玻璃上通过磁控溅射Sn和Cu S靶制备CTS预制层后,再经过低温合金化和高温硫化过程制备CTS薄膜,研究了硫化过程中不同升温速率对CTS薄膜表面形貌的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及配属的能谱仪(EDS)、拉曼散射(Raman)对薄膜的晶体结构、表面和截面形貌、薄膜组分、物相进行表征分析,利用紫外-可见光光度计和霍尔测试系统表征了薄膜的光电特性。在硫化升温速率为35℃/min的条件下,获得了表面致密平整且纯相的单斜结构CTS薄膜,并用CTS薄膜制备了太阳电池。随后在标准测试条件(AM1.5,100 m W/cm^2,300 K)下采用KEITHLEY的2400数字源表测试了电池的I-V特性,其开路电压为299 m V,短路电流密度为16.6 m A/cm^2,光电转换效率为1.18%。结果表明,采用磁控溅射金属单质靶Sn与硫属化合物靶Cu S有望制备出高效CTS薄膜太阳电池。; 徐信王书荣陆熠磊杨帅李耀斌唐臻杨洪斌; 关键词：磁控溅射太阳电池