吴志中
- 作品数：3 被引量：3H指数：2
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 基于正交试验的芯片堆叠封装引线键合工艺研究被引量：2
- 2014年
- 选取0.203 2 mm(8 mil)金线采用热压超声键合工艺进行烧球、拉力和线尾等一系列正交试验,分析各个键合参数对键合质量的影响。研究结果表明,最优的引线键合工艺窗口为键合温度180℃或190℃、键合功率35 mW、键合时间15 ms或20 ms、键合压力0.12 N、烧球电流3 200 mA、烧球时间350μs和尾丝长度20μm。在影响键合质量的各因素中,键合功率和键合压力对键合质量的影响显著,过大的键合功率会引起键合区被破坏,键合强度降低,过小的键合功率因能量不足会引起欠键合,键合强度降低。过大的键合压力会引起键合球变形而导致键合强度降低,过小的键合压力因欠键合而导致键合强度降低。
- 唐宇张鹏飞吴志中黄杰豪李国元
- 关键词：引线键合系统级封装正交试验
- 活性焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与GaAs基板的低温焊接
- 2017年
- 采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能谱仪(EDS)研究了GaAs/Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)/GaAs焊接界面的微观结构及焊接机理.通过剪切试验测试了低温活性焊接的力学性能.结果表明,Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊料能够在250℃的空气环境中润湿GaAs基板;接头界面处有化合物Ga4Ti5生成.采用吸附理论和反应热力学方法分析了低温活性焊接机理.结果表明,GaAs基板与Ti原子之间存在较大的化学吸附能,可能是实现润湿的重要原因;GaAs与Ti原子发生界面反应并形成界面化合物是实现焊接的主要机理.保温时间1,30和60 min的焊接样品的抗剪强度分别是15.25,17.43和23.32 MPa,满足MIL-STD-883G-2006对芯片粘贴抗剪强度的要求.
- 吴志中李国元成兰仙王小强
- 关键词：抗剪强度
- 芯片堆叠封装耐湿热可靠性被引量：2
- 2014年
- 采用Abaqus软件模拟了CPU和DDR双层芯片堆叠封装组件在85℃/RH85%湿热环境下分别吸湿5,17,55和168 h的相对湿气扩散分布和吸湿168 h后回流焊过程中湿应力、热应力和湿热应力分布,并通过吸湿和回流焊实验分析了该组件在湿热环境下的失效机理。模拟结果表明,在湿热环境下,分别位于基板和CPU、CPU和DDR之间的粘结层1和2不易吸湿,造成粘结层的相对湿度比塑封材料低得多,但粘结层1的相对湿度比粘结层2要高。吸湿168 h后,在回流焊载荷下湿应力主要集中在芯片DDR远离中心的长边上,而最大湿热应力和热应力一样位于底层芯片CPU的底角处,其数值是单纯热应力的1.3倍。实验结果表明,界面裂纹及分层集中在底层CPU芯片的边角处和芯片、粘结层和塑封材料的交界处,与模拟结果相一致。
- 唐宇廖小雨黄杰豪吴志中李国元
