您的位置： 专家智库 > >

叶川

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇放大器
  • 2篇GAN
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇电路
  • 1篇射频
  • 1篇射频放大器
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇宽带
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率MMIC
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇分布式
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇GHZ
  • 1篇KU波段

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇陶洪琪
  • 2篇叶川
  • 1篇余旭明
  • 1篇徐波

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2017
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
Ku波段20W GaN功率MMIC被引量：3
2017年
报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲输出功率大于20 W,功率附加效率大于36%,最高39%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT 101.6mm(4英寸)圆片工艺制造,芯片尺寸为2.3mm×1.9mm。
徐波余旭明叶川陶洪琪
关键词：ALGAN/GANKU波段微波单片集成电路
0.1～2.0 GHz 10W GaN单片行波放大器
2017年
报道了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的0.1~2.0 GHz超宽带功率放大器芯片。芯片采用非均匀分布式拓扑结构进行设计。在管芯栅极端设计稳定结构来提高电路的整体稳定性,在漏极端采用阻抗渐变的方式进行电路匹配,从而提高电路的效率。芯片漏压30 V、连续波条件下,在0.1~2.0 GHz频率范围内,线性增益大于18 d B,功率增益大于13 d B;在0.1~1.5 GHz频率范围内饱和输出功率大于10 W,功率附加效率大于55%,最高效率达到78%。芯片面积2.4 mm×1.9 mm。
韩程浩叶川陶洪琪
关键词：超宽带分布式射频放大器
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0