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高雯

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇自热效应
  • 1篇解析模型
  • 1篇BSIM3V...
  • 1篇LDMOS

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇余志平
  • 1篇杨东旭
  • 1篇高雯

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一个带自热效应的新型LDMOS解析模型被引量：1
2009年
介绍了一个带自热效应的新型LDMOS解析式模型。通过研究以阈值电压为基础的BSIM3v3模型,增加了对漂移区影响的考虑,同时,加入自热效应影响,且不用引入单独的自热网络,有效地提高了计算效率。模型中引入有物理背景的新参数来描述LDMOS特有的准饱和效应和自热效应。在计算实验中,模拟数据很好地吻合实际器件的测量数据,证明该模型适用于LD-MOS功率器件在电路中的仿真。
高雯杨东旭余志平
关键词：LDMOS自热效应BSIM3V3解析模型
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共1页<1>
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