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陈茂林

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇堆垛
  • 2篇异质结
  • 2篇真空
  • 2篇真空退火
  • 2篇数据保持
  • 2篇退火
  • 2篇能级
  • 2篇自旋
  • 2篇自旋场
  • 2篇无胶
  • 2篇埋栅
  • 2篇晶向
  • 2篇开关比
  • 2篇空穴
  • 2篇基片
  • 2篇机械分离
  • 2篇沟道
  • 2篇多值
  • 2篇半导体
  • 2篇磁性能

机构

  • 6篇中国科学院金...

作者

  • 6篇韩拯
  • 6篇张志东
  • 6篇陈茂林
  • 6篇李小茜

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2017
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法
本发明提供了一种将高质量、超平整、纯净无胶残留的超薄(最低至单原子层)二维材料置于堆垛平面异质结顶层的方法，该方法为将二维材料转移至粘性聚合物表面，重复多次后，获得二维堆垛异质结构；将表面粘有异质结构的粘性聚合物进行机械...
韩拯张志东李小茜刘卫来陈茂林
文献传递
一种具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器
本发明的目的是提供一种可以实现浮栅存储器具有多值存储能力的方法，以及采用该方法设计的各向异性浮栅存储器，该方法以多层石墨烯为埋栅，以少数层二维层状半导体材料为沟道，以六方氮化硼为介电层和封装层，通过范德华堆垛技术以及微纳...
韩拯张志东王汉文陈茂林孙兴丹李小茜王志
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一种具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器
本发明的目的是提供一种可以实现浮栅存储器具有多值存储能力的方法，以及采用该方法设计的各向异性浮栅存储器，该方法以多层石墨烯为埋栅，以少数层二维层状半导体材料为沟道，以六方氮化硼为介电层和封装层，通过范德华堆垛技术以及微纳...
韩拯张志东王汉文陈茂林孙兴丹李小茜王志
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一种通过门电压调控二维磁性半导体材料磁性能的方法
本发明提供了一种通过门电压调控二维磁性半导体材料磁性能的方法。在二维磁性半导体材料居里温度以下，通过对二维磁性半导体材料进行电子或空穴掺杂，使费米能级上下移动，由于多子、少子态密度的不同，导致静磁矩的变化，实现了在不同的...
韩拯张志东王志李小茜王汉文陈茂林孙兴丹
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一种通过门电压调控二维磁性半导体材料磁性能的方法
本发明提供了一种通过门电压调控二维磁性半导体材料磁性能的方法。在二维磁性半导体材料居里温度以下，通过对二维磁性半导体材料进行电子或空穴掺杂，使费米能级上下移动，由于多子、少子态密度的不同，导致静磁矩的变化，实现了在不同的...
韩拯张志东王志李小茜王汉文陈茂林孙兴丹
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一种将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法
本发明提供了一种将高质量、超平整、纯净无胶残留的超薄(最低至单原子层)二维材料置于堆垛平面异质结顶层的方法，该方法为将二维材料转移至粘性聚合物表面，重复多次后，获得二维堆垛异质结构；将表面粘有异质结构的粘性聚合物进行机械...
韩拯张志东李小茜刘卫来陈茂林
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