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陈志坚

作品数:5 被引量:11H指数:2
供职机构:华南理工大学电子与信息学院更多>>
发文基金:广东省教育部产学研结合项目国家自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇跨导
  • 2篇放大器
  • 2篇高线性
  • 1篇电热
  • 1篇多热源
  • 1篇信号
  • 1篇信号载波
  • 1篇有源
  • 1篇载波
  • 1篇射频
  • 1篇射频前端
  • 1篇射频前端设计
  • 1篇频带
  • 1篇频率响应
  • 1篇热源
  • 1篇无源
  • 1篇无源混频器
  • 1篇下变频
  • 1篇下变频器
  • 1篇联合仿真

机构

  • 5篇华南理工大学
  • 1篇广东技术师范...
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇广州润芯信息...

作者

  • 5篇陈志坚
  • 2篇李斌
  • 1篇吴朝晖
  • 1篇蔡敏
  • 1篇钟世广

传媒

  • 3篇华南理工大学...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2018
  • 1篇2016
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
应用于GNSS接收机的宽频带高线性下变频器研究
2023年
针对全球导航卫星系统(GNSS)接收机在安全领域的应用要求,提出一种宽频带、高线性和高驱动的新型下变频电路结构.所提出的下变频器由宽频带共栅低噪声跨导放大器、电流型无源混频开关、和增益可调的跨阻驱动放大器组成.该电路采用电容交叉耦合共栅输入跨导增强技术,实现了1.15-1.65 GHz宽频带匹配和全频点GNSS信号的低噪声放大.所提出的新型的桥式跨阻驱动放大器,具有直接驱动50Ω负载阻抗能力,实现了大动态条件下宽增益控制范围和出色的下变频线性性能.流片测试结果表明,提出的下变频器实现了+38 dBm的输出三阶交调截点功率(OIP3),+17 dBm的输出1 dB压缩点功率(OP1dB),10-27 dB可调的转换增益.下变频噪声系数(NF)在1.15-1.65 GHz频段的各种增益下都小于12.6dB.该下变频器在低增益模式下实现了高线性、低噪声和强驱动能力,适合应用于复杂环境下的GNSS接收机.
王日炎李斌杨昆明陈志坚冯伟贺黉胤钟世广
关键词:下变频高线性宽频带跨阻放大器
基于PLC的车载通信设备自动化控制系统设计被引量:4
2018年
针对传统车载通信设备控制系统一直存在易受复杂环境干扰和控制准确性差等问题。提出并设计基于PLC的车载通信设备自动化控制系统。该系统主要包括自动化模块、控制模块、通信模块,通过PLC技术构建自动化模块,对数据属性进行优化配置,完成数据信息的交互;根据信息反馈技术对通信信号载波进行调试,采用多渠道输送模式提高信号交换性能,实现车载通信设备自动化控制系统的设计。实验结果表明,采用改进设计的控制系统,相比传统控制系统,其控制精度增加、效率较高,同时具有较强的抗干扰能力。
朱亚峰陈志坚
关键词:复杂环境信号载波控制系统
应用于近场测量的超宽带有源磁场探头设计
2021年
针对目前有源探头的探测频率主要集中在低频段,难以满足高频段探测需求的问题,提出了一种小型、高带宽、非接触式的有源磁场探头。该有源磁场探头采用多层印刷电路版(PCB)制作,于无源探头的基础上,加入了有源放大器模块及其配套的电源管理芯片,对超宽带类型探头的传输增益进行提升;并从频率响应、空间分辨率、校准因子、差分电场抑制能力4个方面对探头进行了测试分析。结果表明:文中设计的探头的传输增益达到-20 dB,空间分辨率达到900μm,有良好的差分电场抑制能力,该探头可用于超宽带下的PCB板与较复杂集成电路等场景的测量工作。
陈志坚王雨晨黄鹏程邵伟恒叶长青方文啸黄云
关键词:超宽带频率响应空间分辨率
抗干扰高线性射频前端设计被引量:6
2016年
为抑制干扰和提高电路的线性,采用0.13μm RF CMOS工艺设计了一款无需声表滤波器的射频前端电路系统.该设计采用一种新的带干扰消除环路可变增益低噪声跨导放大器、25%占空比本振信号的无源混频器和互阻放大器架构来实现抗干扰、低噪声、高线性的射频前端.流片和测试结果表明:该电路抑制带外强干扰达20 d B以上,在2.4 GHz可实现44.98 d B增益和2.03 d B噪声系数,同时获得-7 d Bm的输入三阶互调截点和+72 d Bm的输入二阶互调截点,实现了无需声表滤波器和抗干扰特性;整个射频前端供电电压为1.2 V,功耗为36 m A.
陈志坚蔡敏
关键词:射频前端跨导放大器无源混频器
基于功率放大芯片可靠性优化的多热源电热联合仿真方法被引量:1
2018年
随着5G时代的来临,功率密度的增加对高集成度封装的功率放大芯片带来了严峻挑战.为此,文中提出一种基于功率放大芯片可靠性优化的多热源电热联合仿真方法.该方法从功率放大芯片的电路设计出发,利用电路和版图参数建立的模型,采用仿真获得的功率放大芯片内部多热源分布优化电路设计和版图布局,从而实现电气指标和芯片可靠性的双向优化;其克服了传统热分析脱离芯片设计过程的缺点,采用芯片级电热参数联合仿真方法实现了芯片可靠性的优化.为验证该方法的可行性,以当前主流4G LTE产品指标进行实验,通过分析多热源温度对电路的影响和对比版图的优化效果,证明了该方法的优化性能.
马渊博李斌吴朝晖吴海岗陈志坚
共1页<1>
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