秦然
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
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- pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响被引量：3
- 2015年
- 稳定性是衡量化学机械抛光（CMP）中抛光液性能的一个重要指标,低磨料和低p H值是抛光液发展的方向。研究了不同p H值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响。选取了磨料质量分数为1%的抛光液,加入磷酸调节p H值,得到p H值分别为7.3,8.11,9.21,10.02和11.04抛光液,测量比较了各组抛光液随存放时间的变化其p H值、磨料粒径、Zeta电位和铜去除速率的变化。结果表明,低磨料碱性铜抛光液的p H值随时间的延长而降低,磨料粒径也随存放时间的延长而变大,抛光液的Zeta电位的绝对值随p H值的降低而降低,铜的去除速率随抛光液的存放时间的增加而降低,当p H值为9.21~10.02时,抛光液存放时间超过48 h。
- 秦然刘玉岭王辰伟闫辰奇武鹏王娟
- 关键词：稳定性PH值粒径ZETA电位
- 磨料粒径对多层Cu布线CMP的影响被引量：3
- 2015年
- 阐述了碱性抛光液中磨料的质量传递作用对多层Cu布线化学机械抛光(CMP)过程中抛光速率和抛光后晶圆表面状态的影响,通过对比不同磨料粒径抛光液在3英寸(1英寸=2.54 cm)铜晶圆上的抛光实验结果,分析了不同磨料粒径抛光液的抛光速率以及抛光后晶圆的表面状态,选择了一种粒径为100 nm、质量分数为3%的磨料,粗抛(P1)的抛光速率达到650 nm/min,抛光后晶圆表面粗糙度由10.5 nm降至2.5 nm,大大提高了抛光后晶圆的表面状态以及平坦化效果,可对多层Cu布线CMP过程中磨料的选择提供一定的参考。
- 武鹏周建伟何彦刚刘玉岭秦然张燕
- 关键词：粒径抛光速率
- 碱性铜CMP抛光液稳定性研究
- 集成电路按照摩尔定律快速发展。集成度越来越高，特征尺寸越来越小，晶圆面积越来越大，这都得益于超精密加工技术的快速发展。化学机械平坦化（chemical mechanical planarization，简称CMP）是铜互...
- 秦然
- 关键词：集成电路化学机械平坦化碱性抛光液表面粗糙度
