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王超

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：贵州大学理学院贵州省光电子技术及应用重点实验室更多>>
发文基金：贵州省国际科技合作计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇电压源设计
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇有限状态机
  • 1篇主模块
  • 1篇状态机
  • 1篇状态机设计
  • 1篇控制模块
  • 1篇基准源
  • 1篇PSRR
  • 1篇VHDL
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...

机构

  • 2篇贵州大学

作者

  • 2篇秦水介
  • 2篇白忠臣
  • 2篇王超
  • 1篇李世雄
  • 1篇程刚

传媒

  • 2篇电子设计工程

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于VHDL的MTM总线主模块有限状态机设计被引量：1
2012年
为了能够更简洁严谨地描述MTM总线的主模块有限状态机的状态转换,同时减少FPGA芯片功耗,提高系统稳定性,文中在分析MTM总线结构和主模块有限状态机模型的基础上,基于VHDL语言采用"单进程"式对该有限状态机进行了设计,并在QuartusⅡ开发软件中实现了对语言代码的编译及程序的时序仿真和功能仿真;通过对仿真波形图的分析验证了该状态机设计的正确性和有效性。
王超白忠臣李世雄秦水介
关键词：VHDL有限状态机
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计被引量：1
2013年
介绍一种基于CSMCO．5μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。Spectre仿真分析结果表明：在-40～100℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1．7mV，在低频时达到100dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
程刚白忠臣王超秦水介
关键词：带隙基准源电源抑制比PSRR
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