王少辉
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：周口师范学院更多>>
- 发文基金：河南省教育厅科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺更多>>
- 一种药物释放控制装置
- 本发明属于药物释放控制领域，具体的说是一种药物释放控制装置，包括壳体，所述壳体内部开设有多个储药空腔，所述储药空腔用以存储袋装的药液，所述壳体底部为空心状；连接座，所述连接座固接在壳体的底部，所述连接座内部开设有与壳体内...
- 胡灵卫胡春红理记涛朱雨王少辉
- Mn掺杂SiC基稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究
- 2015年
- 目的从原子水平探究Mn掺杂SiC薄膜的磁性起源。方法采用射频磁控溅射技术制备不同掺杂浓度的Mn掺杂SiC薄膜,并采用X射线衍射技术、X光电子能谱、同步辐射X射线近边吸收精细结构技术、物理性质测试系统对薄膜的结构、组分和磁性能进行研究。结果晶体结构和成分分析表明,1200℃退火后的薄膜形成了3C-SiC晶体结构,且随着Mn掺杂浓度的增加,3C-SiC晶体的特征峰向低角度移动。在Mn掺杂浓度(以原子数分数计)为3%,5%,7%的薄膜中,掺杂的Mn原子以Mn2+的形式存在;而在9%Mn掺杂的SiC薄膜中,则有第二相化合物Mn4Si7形成。局域结构分析表明,薄膜中均不存在Mn金属团簇和氧化物,在3%,5%和7%Mn掺杂的薄膜中,掺杂的Mn原子主要以代替C位的形式进入3C-SiC晶格中,而在9%Mn掺杂的薄膜中,掺杂的Mn原子以C替位形式和Mn4Si7共存。磁性测试表明,制备的Mn掺杂SiC薄膜具有室温铁磁性,且饱和磁化强度随着Mn掺杂浓度的提高而增加。结论薄膜的室温铁磁性是本征的,磁性来源与掺杂的Mn原子以Mn2+取代SiC晶格中C位后导致的缺陷有关,符合缺陷导致的束缚磁极子机制。
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- 关键词：磁控溅射SICMN掺杂铁磁性
