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王园

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：陕西师范大学物理学与信息技术学院更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子结构
  • 1篇子结构
  • 1篇拓扑绝缘体
  • 1篇绝缘体
  • 1篇BI
  • 1篇SB

机构

  • 1篇陕西师范大学

作者

  • 1篇周剑平
  • 1篇雷玉玺
  • 1篇王园
  • 1篇马静

传媒

  • 1篇陕西师范大学...

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
拓扑绝缘体Sb_2Te_3和Bi_2Te_2Se薄膜电子结构的第一性原理研究被引量：1
2015年
为理解拓扑绝缘体纳米薄膜的电子性质,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究拓扑绝缘体Sb2Te3和Bi2Te2Se密排面(0115)薄膜由1层增加到5层的电子结构。通过计算发现对于Sb2Te3密排面(0115)薄膜,随着薄膜层数递增,G点的能隙逐渐减小,当膜厚为5层时,薄膜表现出金属态;Bi2Te2Se密排面(0115)薄膜电子结构也表现出类似的特性。研究结果表明:随着薄膜厚度的增加,Sb2Te3和Bi2Te2Se(0115)薄膜不具有体材料绝缘性,却表现出拓朴绝缘体表面无能隙的金属性。
马静雷玉玺王园周剑平
关键词：拓扑绝缘体电子结构第一性原理
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