王乐
- 作品数：11 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程化学工程兵器科学与技术更多>>
- Ni/Au透明导电薄膜在GaN基LED中的应用
- 2019年
- 为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层。定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导电薄膜退火后的比接触电阻率、方块电阻和透过率来获取最优金属层厚度,Ni和Au的厚度分别为3 nm和5 nm。在400℃、空气氛围下退火1 min时,获得了低的比接触电阻率,薄膜方块电阻为102Ω/,采用环形传输线法测量的比接触电阻率为6.1×10-4Ω·cm2。薄膜的透过率在478 nm时达到了77.3%。使用该薄膜制备的LED,开启电压为2.5 V,在工作电流为20 mA时的工作电压为2.9 V,证实了所制备的Ni/Au薄膜可用于制备LED的透明导电层。
- 王乐郭伟玲王嘉露杨新孙捷
- 关键词：比接触电阻率发光二极管(LED)
- 石墨烯在GaN表面的直接制备及其在GaN-LED中的应用研究
- 2019年
- 石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层。为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生长的最佳条件,解释了直接生长的机理,直接生长的最佳条件为生长温度800℃,生长时间60 min,CH_4和H_2的分压比分别为1.59%和3.17%,该条件下得到具有明显2D峰的多层石墨烯。利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低温生长并制造了相应的GaN-LED,测试了其性能,结果表明生长温度高于700℃时器件的性能明显降低。该研究对实现石墨烯在LED中的工业化应用具有积极意义。
- 樊星郭伟玲熊访竹董毅博王乐符亚菲孙捷
- 关键词：石墨烯化学气相沉积
- 一种高效紧凑无阻塞型4×4波导光开关矩阵
- 本发明公开一种高效紧凑无阻塞型4×4波导光开关矩阵，由6个高效紧凑的2×2马赫‑曾德尔光开关构成，6个2×2光开关由两个十字形和四个弧形波导连接，由于单个开关结构和连接方式都是对称的，所以可以实现双向传输。每个2×2光开...
- 刘克王乐王爽
- 文献传递
- 石墨烯晶体管优化制备工艺在单片集成驱动氮化镓微型发光二极管中的应用
- 2021年
- 在显示领域,微型发光二极管(micro-LED)潜力巨大,有望引领下一代新型显示技术的发展方向,其显示性能在很多方面优于现有的液晶、有机发光二极管(OLED),但巨量的micro-LED像素点与驱动电路不在同一晶圆上制备,面临巨量转移的技术瓶颈.本文将新兴的石墨烯场效应晶体管作为驱动元件与氮化镓(GaN)micro-LED进行单片集成,因为二者直接制备于同一衬底上,所以从根源上规避了巨量转移的技术难题.此外,传统光刻工艺中紫外光刻胶直接接触石墨烯,会引入严重掺杂导致场效应晶体管性能较差,进而影响集成器件性能.本文提出了一种利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为保护层,直接旋涂紫外光刻胶进行垫层光刻的全新工艺方法,优化了石墨烯场效应晶体管制备工艺.首先在分立的石墨烯场效应晶体管中进行验证,相比于没有进行PMMA薄膜保护的器件,采用新工艺制备的石墨烯器件狄拉克点的栅极电压(V_(g))距零点的偏差降低了22 V,载流子迁移率提升了32%.此外,将新工艺应用到集成器件制备后,发现集成器件性能得到了大幅提升.利用此新技术,由于有PMMA的保护,紫外光刻胶不再与敏感的石墨烯沟道直接接触.掺杂效应和随之而来的器件性能下降被有效扼制.因为此技术简便而廉价,所以也可应用到石墨烯之外的其他二维材料中,例如MoS2和h-BN,有望对本领域的器件工程师产生一定的参考价值.
- 苑营阔郭伟玲杜在发钱峰松柳鸣王乐徐晨严群孙捷
- 关键词：氮化镓聚甲基丙烯酸甲酯
- 一种利用空腔前驱体与ZIF衍生物相结合制备电池负极材料的方法
- 一种利用空腔前驱体与ZIF衍生物相结合制备电池负极材料的方法属于电池技术领域，提供一种利用空腔前驱体与ZIF衍生物相结合，通过控制离子浓度实现碳包覆并同时调节材料物相与形成异质结构的方法来制备钠、锂离子电池负极材料。包括...
- 张丽娟亢婧王乐周倩高泽惠
- 文献传递
- 面向高度集成半导体信息显示(HISID)的若干技术研究
- 王乐
- 一种高效紧凑无阻塞型4×4波导光开关矩阵
- 本发明公开一种高效紧凑无阻塞型4×4波导光开关矩阵，由6个高效紧凑的2×2马赫‑曾德尔光开关构成，6个2×2光开关由两个十字形和四个弧形波导连接，由于单个开关结构和连接方式都是对称的，所以可以实现双向传输。每个2×2光开...
- 刘克王乐王爽
- 一种利用空腔前驱体与ZIF衍生物相结合制备电池负极材料的方法
- 一种利用空腔前驱体与ZIF衍生物相结合制备电池负极材料的方法属于电池技术领域，提供一种利用空腔前驱体与ZIF衍生物相结合，通过控制离子浓度实现碳包覆并同时调节材料物相与形成异质结构的方法来制备钠、锂离子电池负极材料。包括...
- 张丽娟亢婧王乐周倩高泽惠
- 具有石墨烯/铟锑氧化物复合透明电极的GaN发光二极管被引量：3
- 2019年
- 近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极,但由于石墨烯与p-GaN功函数不匹配,二者很难形成好的欧姆接触,因而造成器件电流扩展差和电压高等问题.本文将ITO薄层作为石墨烯透明电极与p-Ga N间的插入层,以改善石墨烯与p-Ga N层的欧姆接触.所制备的石墨烯透明电极的方块电阻为252.6Ω/□,石墨烯/ITO复合透明电极的方块电阻为70.1Ω/□;石墨烯透明电极与p-Ga N层的比接触电阻率为1.92×10^–2Ω·cm^2,ITO插入之后,其比接触电阻率降低为1.01×10^–4Ω·cm^2;基于石墨烯透明电极的发光二极管(light emitting diode,LED),在20 m A注入电流下,正向电压为4.84 V,而石墨烯/ITO复合透明电极LED正向电压降低至2.80 V,且光输出功率得到提高.这归因于石墨烯/ITO复合透明电极与p-Ga N界面处势垒高度的降低,进而改善了欧姆接触;另外,方块电阻的降低,使得电流扩展均匀性也得到了提高.所采用的复合透明电极减少了ITO的用量,得到了良好的欧姆接触,为LED透明电极提供了一种可行方案.
- 郭伟玲邓杰王嘉露王乐邰建鹏
- 关键词：透明电极石墨烯比接触电阻率
- InP基矩形马赫-曾德高速电光调制器行波电极设计与测试
- 2017年
- 提出了一种由新型沟槽耦合器和90°弯曲波导构成的InGaAsP/InP基矩形马赫-曾德电光调制器,对该调制器的L型波导相移臂设计了T型类微带行波电极.首先利用电极的等效电路估算带宽上限,进而在考虑阻抗匹配、回波损耗以及带宽等性能的基础上,使用有限元方法对电极的传输、输入/输出以及过渡区的结构参量进行优化.仿真结果表明由于受到电极输入及过渡区的性能限制,设计的整体行波电极匹配阻抗大于42Ω,回波损耗小于-15dB,带宽可达65GHz.测试制备的Ti/Au行波电极,得到回波损耗为-12dB和带宽为20GHz的最优性能.
- 赵丽亚王乐杨妍刘克
- 关键词：电光调制器行波电极特征阻抗S参量
