李若飞
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种触发型ESD电源钳位电路被引量：1
- 2017年
- ESD电源钳位的应用始于20世纪90年代中期,到现在它已经成为半导体芯片设计及ESD设计综合的典型应用。将ESD电源钳位综合应用到半导体芯片结构中的发展已经成为ESD设计规则的组成部分,同时也是ESD设计艺术的基本组成部分。在CMOS工艺中,MOSFET型ESD电源钳位在芯片设计中已经成为一种标准的ESD设计实现。触发型MOSFET ESD电源钳位电路能够弥补栅极接地的NMOS(GGNMOS)在经受二次击穿时的ESD保护缺陷。
- 李若飞
- 亚微米CMOS集成电路抗总剂量辐射版图设计被引量：3
- 2010年
- 随着商业集成电路生产进入亚微米工艺时代,其生产出的微电子器件抗辐射能力不断提高,使得对专用集成电路进行抗辐加固设计成为可能。主要介绍了抗电离辐射的基本加固方法以及一种可以节省芯片面积的版图设计方法,使得在商用工艺上可以获得集成度更高的具有抗辐射能力的专用集成电路。
- 李若飞蒋明曦
- 关键词：抗辐射加固总剂量
- 单粒子仿真方法研究被引量：1
- 2017年
- 在宇航级器件的设计过程中,主要考虑单粒子效应和总剂量效应。随着工艺尺寸的不断缩小,总剂量效应变得越来越不明显,而单粒子效应变得越来越显著。对于CMOS电路,单粒子效应主要包括单粒子锁定和单粒子翻转,防止单粒子锁定的方法非常成熟,单粒子翻转效应的研究是现今抗辐照研究的主流。评估单粒子效应的方法主要是实验方式,实验评估单粒子效应虽然准确,但是机时少,费用高,实验周期长,给项目研制过程造成很大障碍,因此非常有必要开展单粒子仿真技术研究。提出一种以Hspice电路网表为基础的单粒子效应评估方法,此方法采用脉冲电流模拟单粒子产生的效果,通过此方法可以有效模拟单粒子现象,并找到电路的设计敏感点,有效指导设计。
- 李若飞胡长清
- 关键词：抗辐照单粒子翻转比较器仿真单粒子效应
