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孙云刚

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:长春理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家大学生创新性实验计划吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇探测器
  • 1篇吸收谱
  • 1篇响应度
  • 1篇溅射
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇暗电流
  • 1篇ZN
  • 1篇ZNO
  • 1篇
  • 1篇MSM结构
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 2篇长春理工大学

作者

  • 2篇蒋大勇
  • 2篇曹雪
  • 2篇孙云刚
  • 2篇徐锋
  • 2篇刘芯宇
  • 2篇陈濛

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
MSM结构Mg_(0.2)Zn_(0.8)O可见盲光电探测器
2011年
采用射频磁控溅射,通过传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备了不同电极间距的金属-半导体-金属(MSM)结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探测器。研究了器件的暗电流和响应度随电极间距的变化关系,当施加的电压没有达到贯穿电压的时候,暗电流和响应度均随着电极间距的增加而减小,并对其具体的机制进行了研究。
蒋大勇徐锋曹雪孙云刚陈濛刘芯宇
关键词:光电探测器响应度暗电流
同质缓冲层温度对ZnO薄膜质量的影响
2012年
ZnO是一种宽禁带半导体,由于其优良的物理和化学性能得到越来越多的青睐,并成为了光电器件的首选材料。本文采用射频磁控溅射技术在石英衬底上溅射ZnO同质缓冲层,之后再生长ZnO薄膜。缓冲层温度分别为373、473、573和673 K,生长温度为773 K。X射线衍射结果表明ZnO薄膜为六方结构,并且是(002)择优取向。综合吸收光谱和和光致发光谱,缓冲层温度为673 K时制备的薄膜的结晶质量最好。
徐锋蒋大勇曹雪孙云刚陈濛刘芯宇
关键词:ZNO薄膜射频磁控溅射吸收谱
共1页<1>
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