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刘宁
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
供职机构:
西安理工大学材料科学与工程学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
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合作作者
董丹
西安理工大学材料科学与工程学院
时惠英
西安理工大学材料科学与工程学院
蒋百灵
西安理工大学材料科学与工程学院
鲁媛媛
西安理工大学材料科学与工程学院
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机构
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西安理工大学
作者
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鲁媛媛
1篇
蒋百灵
1篇
时惠英
1篇
董丹
1篇
刘宁
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1篇
硅酸盐学报
年份
1篇
2013
共
1
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硼掺杂量对P型a-Si:H膜微结构和光/电学性能的影响
被引量:2
2013年
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同硼掺杂比的P型a-Si:H系列薄膜。研究了硼掺杂比对P型a-Si:H薄膜微结构和光/电学性能的影响;同时,对最优掺杂比下的P型a-Si:H薄膜进行了真空退火处理,以研究薄膜晶体结构的改变对其光/电学性能的影响。结果表明:随着硼掺杂比的增加,P型a-Si:H薄膜的非晶结构没有实质改变,但其光学带隙及电学性能均有明显变化,总结出最佳硼掺杂比为1.0%。经真空退火处理后,P型a-Si:H薄膜的有序程度明显提高,光学带隙从1.81eV降低到1.72eV,电导率提高3个数量级。薄膜的晶体结构比硼掺杂量对薄膜电学性能的改善更为显著。
时惠英
董丹
蒋百灵
鲁媛媛
刘宁
关键词:
真空退火
光学带隙
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