付尧
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：贵州大学大数据与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省国际科技合作计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学机械工程更多>>
- 退火工艺对制备二硼化镁超导薄膜的影响被引量：1
- 2015年
- 采用了化学气相沉积法(CVD),在低真空环境下制备出Mg B_2超导薄膜,并探索了退火温度、退火时间、降温速率对Mg B_2薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪、扫描电镜和低温电导率测试系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。研究表明:退火温度在780℃,退火时间为120min,退火后的降温速率控制在16℃/min左右,制备出的Mg B_2薄膜超导转变温度T_(c(onset))为39.5K,超导转变宽度ΔT_c为2K,表现出最优的超导性能,同时薄膜的成品率显著提高。证明了通过优化后,退火工艺可以显著提高Mg B_2的超导性能。
- 马军礼张松付尧王旭邓朝勇
- 关键词：MGB2化学气相沉积超导薄膜退火工艺
- 前驱B膜沉积时间对MgB_2薄膜超导特性的影响被引量：1
- 2014年
- 利用化学气相沉积法(CVD)在多晶Al2O3衬底上制备出了系列MgB2超导薄膜,研究了前驱硼膜沉积时间对MgB2薄膜超导特性的影响,通过XRD、SEM和R-T曲线对超导MgB2薄膜进行了表征。延长前驱硼膜的沉积时间,得到的硼膜结晶度越高,结构更致密。经退火后制备的MgB2薄膜表面富余的Mg可以改善晶粒间的连接,提升T c值。该实验沉积10min前驱硼膜得到的MgB2超导薄膜T c值为34K,且超导转变宽度比较窄。延长前驱硼膜沉积时间到15min后,薄膜的T c值降低,这是由于前驱硼膜较多,Mg和硼反应不充分所导致的。
- 吴燕平张松付尧王旭邓朝勇
- 关键词：MGB2超导薄膜化学气相沉积
- MgB_2超导材料掺杂研究进展被引量：3
- 2013年
- 元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义。介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因。
- 付尧张松吴燕平邓朝勇
- 关键词：MGB2临界电流密度SIC掺杂
- 芘掺杂对MgB_2薄膜超导性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用芘粉(C_(16)H_(10))作为掺杂物,利用化学气相沉积法,制备了不同掺杂量的MgB_2超导薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜和综合物性测量系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。结果显示,随着C_(16)H_(10)掺杂量的增加,晶格常数a逐渐变小,MgB_2的晶粒逐渐细化。所有的掺杂样品都表现出比纯净样品更好的载流能力。当C_(16)H_(10)掺杂量达到0.2g时,MgB_2薄膜的临界电流密度(Jc)和不可逆场表现出最佳的性能。掺杂0.2g的样品在5K,3T的Jc为1.12×10~4 A/cm^2,高于纯净样品Jc一个数量级,说明了掺杂样品的磁通钉扎能力得到了显著的提高。
- 张松马军礼付尧王旭罗子江邓朝勇
- 关键词：掺杂临界电流密度磁通钉扎
