韩若楠
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于SRAM的FPGA的互连时延模型被引量：1
- 2008年
- 本文提出现场可编程门阵列FPGA中的互连资源MOS传输管时延模型。首先从阶跃信号推导出适合50%时延的等效电阻模型,然后在斜坡输入的时候,给出斜坡输入时的时延模型,并且给出等效电容的计算方法。结果表明,本文提出的时延模型快速并且足够精确。
- 王怡韩若楠王伶俐唐璞山童家榕
- 关键词：MOS管等效电容
- 一种0.8V低电源电压带隙基准电路的设计被引量：3
- 2007年
- 提出了一种工作在低电源电压下的带隙基准电路。通过温度补偿电流的采集电路,突破了电阻分流式低压带隙基准[1]最低工作电压0.95 V的限制。基于SMIC 0.18μm工艺的Hspice仿真测试显示,电路的可靠工作电压最低可为0.8 V,且功耗仅为40μW,电源抑制比为69.5 dB@1 kHz;同时,在-20℃到100℃的温度范围内,输出电压的相关系数只有0.013 mV/K。
- 韩若楠周杨洪志良
- 关键词：启动电路
