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钱明

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：南阳师范学院物理与电子工程学院更多>>
发文基金：河南省教育厅科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇栅介质
  • 1篇驱动电流
  • 1篇阈值电压
  • 1篇厚度
  • 1篇高K栅介质
  • 1篇MOS器件

机构

  • 1篇南阳师范学院

作者

  • 1篇刘旭焱
  • 1篇钱明
  • 1篇丁楠

传媒

  • 1篇南阳师范学院...

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究
2015年
展开了高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究.利用有限元数值分析手段,分析了栅介质厚度对MOS管驱动电流和阈值电压的影响,得到在不同栅介质厚度值情况下对应的输出特性曲线和转移特性曲线以及不同k值下的漏端电流.结果表明,减小栅介质层厚度,MOS管的驱动电流持续增加,阈值电压也显著下降.同时,在一定范围内随着k值的增大MOS管的漏端电流持续增加.
刘赐德钱明李心豪丁楠刘旭焱
关键词：驱动电流阈值电压
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共1页<1>
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