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赵雲

作品数:16 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院兰州化学物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程化学工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 5篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 8篇电池
  • 8篇太阳能电池
  • 5篇太阳能
  • 4篇溶液法
  • 4篇退火
  • 4篇薄膜太阳能电...
  • 4篇
  • 3篇电压
  • 3篇填充因子
  • 3篇铜锌
  • 3篇硫族化合物
  • 3篇开路电压
  • 3篇化合物
  • 3篇
  • 3篇掺杂
  • 2篇旋涂
  • 2篇盐水溶液
  • 2篇银掺杂
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶凝胶

机构

  • 16篇中国科学院
  • 2篇西北师范大学
  • 1篇江西理工大学

作者

  • 16篇赵雲
  • 10篇韩修训
  • 6篇李文
  • 3篇刘亮
  • 3篇董琛
  • 2篇阎兴斌
  • 2篇李健
  • 1篇陈建彪
  • 1篇王成伟
  • 1篇李燕
  • 1篇徐斌

传媒

  • 2篇西北师范大学...
  • 1篇第十四届中国...
  • 1篇第五届新型太...

年份

  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CZTSSe薄膜太阳能电池界面元素扩散路径及其对器件性能的影响
开路电压(VOC)是限制Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳能电池效率进一步提升的主要因素,仅为理论最大值的60%[1]。已有的研究结果显示影响CZTSSe太阳能电池VOC的因素众多,CdS/CZTSSe...
赵雲韩修训阎兴斌
关键词:开路电压
文献传递
一种银掺杂铜锌锡硫硒光吸收层薄膜材料及其在太阳能电池中的应用
本发明公开了一种银掺杂铜锌锡硫硒光吸收层薄膜材料,该薄膜材料通过以下方法制备得到:1)将0.07~0.13 mol/L金属铜盐和金属银盐加入有机溶剂中,搅拌至完全溶解后,加入0.03~0.07 mol/L金属锡盐继续搅拌...
韩修训赵雲李文李健
文献传递
一种分步制备CdZnS缓冲层薄膜的方法
本发明涉及一种分步制备CdZnS缓冲层薄膜的方法,该方法包括以下步骤:⑴先根据CdZnS缓冲层薄膜的导带位置及其禁带宽度确定镉盐和锌盐比例,然后分别配制镉盐水溶液和锌盐水溶液,最后将镉盐水溶液与锌盐水溶液混合,得到镉盐和...
赵雲阎兴斌
文献传递
溶液法制备Cu2ZnSn(S1-xSex)4太阳能电池及光电性能研究
Cu2ZnSn(S1-x,Sex)4(CZTSSe)作为一种理想的太阳能电池吸收层材料,由于具备价格低廉,环保,组成元素在地壳中含量丰富,禁带宽度在1.0~1.5 eV 之间可调,以及吸收系数大于104 cm-1 等优点...
赵雲李文刘亮顾永娥郝召民韩修训
一种利用溶胶凝胶法制备硫族化合物薄膜的方法
本发明公开了一种利用溶胶凝胶法制备硫族化合物薄膜的方法。本发明先配制硫族化合物溶胶前驱体,然后采用旋涂或喷涂的方法于导电基底上成膜,最后经退火处理制备出多元硫族化合物薄膜。本发明在太阳能电池等半导体器件方面有较好的应用价...
韩修训赵雲李文刘亮
文献传递
DMSO溶液法制备Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池
Cu2ZnSn(S1-x,Sex)4 作为一种理想的太阳能电池吸收层材料,由于具备价格低廉,环保,组成元素在地壳中含量丰富,禁带宽度在1.0~1.5 eV 之间可调,且其吸收系数大于104 cm-1 等极具商业价值的优点...
赵雲韩修训李佳佳董琛
关键词:薄膜太阳能电池光伏特性
一种银掺杂铜锌锡硫硒光吸收层薄膜材料及其在太阳能电池中的应用
本发明公开了一种银掺杂铜锌锡硫硒光吸收层薄膜材料,该薄膜材料通过以下方法制备得到:1)将0.07~0.13 mol/L金属铜盐和金属银盐加入有机溶剂中,搅拌至完全溶解后,加入0.03~0.07 mol/L金属锡盐继续搅拌...
韩修训赵雲李文李健
Cu2SnS3薄膜的溶液法制备及表征
2017年
采用溶液法在玻璃基底上制备了Cu_2SnS_3薄膜,研究了不同退火温度对Cu_2SnS_3薄膜性能的影响,采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计分别表征了薄膜的物相结构、形貌和光学性能.结果表明,退火温度对Cu_2SnS_3薄膜的相结构、形貌及光学性能有显著影响,随着退火温度的升高,薄膜中的晶粒尺寸明显增大,结晶性也有所增加;退火温度为500℃时,可以生成单相的Cu_2SnS_3薄膜;在不同退火温度下所制备薄膜的禁带宽度均接近1.05eV.
孙爱民徐斌赵雲董延张猛
关键词:溶液法退火温度
一种实现GaAsN外延薄膜硅高效掺杂的方法
本发明公开了一种实现GaAsN外延薄膜硅高效掺杂的方法,利用外延生长手段将传统的(100)GaAs衬底改变为(n11)B GaAs衬底来外延生长硅掺杂的GaAsN材料。本发明利用(n11)B极性面(即As面)能够形成高密...
赵雲韩修训董琛
文献传递
Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜的溶液法制备及其光电性能研究
2019年
采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研究结果表明,适当的硒化退火温度,如480℃,可得到表面平整、结晶度高、晶粒致密和双层结构(上层大、下层小晶粒)的Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,其带隙为1.28 eV,载流子浓度可低至6.780×10^(17) cm^(-3),迁移率高达18.19 cm^2·V^(-1)·S^(-1),可用于薄膜太阳能电池的光吸收层.
陈建彪常乐赵雲李燕王成伟
关键词:溶液法
共2页<12>
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