赵玉岭
- 作品数：7 被引量：46H指数：3
- 供职机构：郑州师范高等专科学校物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省自然科学基金河南省高校科技创新团队支持计划更多>>
- 相关领域：理学建筑科学电子电信文化科学更多>>
- ZnO薄膜的制备和研究进展被引量：9
- 2005年
- ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的应用潜力.本文介绍了ZnO薄膜的基本性质以及喷雾热分解、脉冲激光沉积、金属有机物化学气相沉积等制备ZnO薄膜的技术和方法,并着重介绍了在ZnO紫外受激发射和p型掺杂等方面的研究进展.
- 赵玉岭
- 关键词：ZNO薄膜P型掺杂
- 类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN和GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中束缚激子态的影响被引量：1
- 2009年
- 在考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在QD中激子的基态能降低,激子态的稳定性增强,在较高的温度下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰,发光波长增大.而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的基态能降低,杂质可能使在更高温度下观察到GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子,发光波长增大.研究发现类氢施主杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子基态能增加,激子的解离温度下降,发光波长减小.
- 赵玉岭戴宪起
- 关键词：量子点束缚激子
- 表面缺陷对氧在InN(0001)上吸附的第一原理研究
- 2009年
- 研究了氧在InN(0001)面的吸附结构.结果表明,吸附能随着氧覆盖度的增加而减小,0.25 MLs氧吸附在InN(0001)-(2×2)衬底上的H3位是最稳定的吸附结构.对不同的表面缺陷,氧占据氮位比较稳定.氧的掺入很可能是造成InN的高载流子浓度和带隙变化的重要原因.
- 赵玉岭贾英宾戴宪起
- 关键词：氧吸附第一性原理INN形成能
- 类氢杂质对束缚激子基态能和结合能的影响
- 2005年
- 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN/GaN应变类量子点中激子基态能、结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.计算结果显示,类氢离子杂质束对束缚激子的基态能和结合能有很强的影响.
- 赵玉岭
- 关键词：类氢杂质激子结合能
- 空调风道工程优化设计方案的探讨
- 2005年
- 介绍几种传统的风道计算方法,并重点推介一种空调风道设计的新方法:T方法。该方法考虑了管路的安装成本及运行成本,能够得到优化计算结果,通过计算机辅助设计能得到最优化方案。
- 赵玉岭
- 关键词：风道系统
- 纳米材料性质及应用被引量：29
- 2009年
- 系统介绍了纳米材料的性质,阐述了有关纳米材料在在涂料和传感器方面的一些科研结果,并对其发展方向提供了一些建议。
- 赵玉岭
- 关键词：纳米材料催化涂料气体传感器
