熊涛 作品数:8 被引量:7 H指数:1 供职机构: 中国核工业集团公司核工业西南物理研究院 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 一般工业技术 自动化与计算机技术 电子电信 金属学及工艺 更多>>
IPOP型高频大功率磁控溅射电源的研制 2018年 高频磁控溅射电源输出双极性高频脉冲,应用于对称孪生靶磁控溅射镀膜。随着工业化的进程,大功率电源的研制具有重要的意义。提出了基于标准化模块输入侧并联、输出侧并联组合的高频电源设计和研制。模块电源经过DC/DC电路、DC/AC电路、高频升压隔离、高频均流单元后并接到负载侧。针对输出并联运行时幅值和相位的严格同步要求,设计高频均流单元实现开环均流特性。采用总控单元实现上位机通讯、均流外环算法、高频脉冲同步、电弧高速保护等功能。通过样机实验重载和轻载验证可知:各模块的高频输出同步一致,高频均流单元和总控单元的均流算法可实现模块电流的平衡,总控策略有效,电源稳定性良好。 贺岩斌 熊涛 李民久 姜亚南关键词:电源 高频 磁控溅射 单极性脉冲负偏压电源的灭弧设计 2017年 在磁控溅射和多弧离子镀膜中,加于工件上的单极性脉冲负偏压电源很容易出现拉弧打火现象,这将严重影响镀膜质量,甚至损坏镀膜工件。本文根据单极性脉冲负偏压电源特性和负载特性推导出电弧判断依据,设计了一种灭弧方案,实践证明该方案能迅速对整个镀膜过程中的拉弧现象进行自动侦测,并在电弧产生时迅速关断电源输出脉冲电压,进而有效的抑制拉弧能量。当灭弧保护后,电源自动恢复正常运行,保证镀膜继续进行,提高了产品的成品率和生产效率。 李民久 贺岩斌 姜亚南 熊涛 陈庆川关键词:电弧 可编程逻辑器件 高功率脉冲磁控溅射复合电源及其电弧特性研究 被引量:1 2018年 高功率脉冲磁控溅射因其高离化率得到广泛关注,是磁控溅射领域的新方向。随着对高功率脉冲磁控溅射放电和等离子特性的深入研究,制约高功率脉冲磁控溅射应用的主要不足有:沉积速率低,容易进入电弧放电影响膜层品质。本文从电源角度出发,针对高功率脉冲磁控溅射的高功率大电流特点,采用复合直流/脉冲电源提升高功率脉冲磁控溅射的沉积速率,采用电弧抑制电路避免电弧对膜层品质的危害。结果表明,复合高功率脉冲磁控溅射电源的设计有利于改善沉积速率;电弧抑制电路可快速检测,并通过电弧抑制回路快速释放残存能量,避免了电弧对高功率脉冲磁控溅射的影响。 贺岩斌 熊涛 姜亚南 李民久关键词:复合电源 沉积速率 基于LCC谐振逆变器的中频磁控溅射电源在等离子体镀膜工艺中的应用 被引量:1 2018年 中频磁控溅射镀膜具有成膜均匀,膜重复性好,靶材不易中毒等诸多优点,适用于大规模生产,因此应用广泛。中频磁控溅射技术在电源的设计和应用方面非常重要,目前较为成熟的是正弦波和脉冲方波两种输出方式。本文阐述了正弦波输出方式的基于LCC谐振逆变器的中频磁控溅射电源的设计方法,并基于该电源的输出特性,分析该电源有利于提高镀膜工艺中的沉积效率,有利于抑制等离子体负载打弧,有利于等离子体负载特性匹配等优点。最后用正弦波输出方式的中频磁控溅射电源与脉冲方波输出方式的电源做了输出特性对比试验。 李民久 姜亚南 贺岩斌 熊涛 陈庆川关键词:中频磁控溅射 LCC 正弦波 等离子体 基于双管正激式变换器的金属表面去毛刺20kV高压脉冲电源 2018年 真空管内部的细小金属毛刺去除工艺中采用直流高压存在毛刺去除不净、较大毛刺剩余、影响产品耐压和频率测试等问题。为克服直流高压去毛刺的工艺缺点,采用低重复频率的高压脉冲去毛刺。为克服以真空电子管作为脉冲开关的传统高压脉冲电源和以半导体器件作为脉冲开关的全固态高压脉冲电源主回路和控制回路设计复杂以及成本高等缺点,研制了一台低重复频率和宽占空比的基于双管正激式变换器的高压脉冲去毛刺电源。可通过增加双管正激式变换器的数量,以并-并组合式双管正激式变换器方式,满足宽占空比的高电压输出,实现了模块化设计。该电源主回路和控制回路的设计简化,稳定可靠,扩展性好,成本低,为高压脉冲电源设计提出了比较新颖的解决方案。实验结果表明:该电源的输出参数满足设计指标要求,并且稳定、可靠。 李民久 熊涛 姜亚南 贺岩斌 陈庆川关键词:高压脉冲 真空管 基于光纤通讯的真空镀膜控制系统 被引量:1 2011年 本文针对镀膜的特殊要求,通过分析传统控制方式的不足,提出了新型的控制方式,即光纤通讯。以成都普斯特真空镀膜控制系统为例,介绍了该系统的软硬件配置,工作原理,主要控制功能,应用效果以及光纤通讯在该系统中的应用。 姜亚南 曾旭初 熊涛 廖志清 王志鹏关键词:光纤通讯 微弧等离子体氧化过程的声谱和光谱分析 在微弧氧化过程中,在某一时刻每平方厘米内同时存在数以千计的弧放电,每个放电过程都是瞬态的,都经过:阳极原始氧化层形成和阳极气膜的建立;强场击穿——建立微通道,高温、高压弧放电——引起基体的迅速气化、电离,氧离子向基体的渗... 沈丽如 崔西容 冯春堂 熊涛 徐桂东关键词:微弧氧化 文献传递 端部霍尔离子源的磁场设计与数值模拟 被引量:4 2006年 首先简单介绍了用于离子束辅助沉积的端部霍尔离子源的工作原理,然后分析了其性能对磁场的要求,据此介绍了磁路组件的设计。最后,采用AN SY S大型有限元分析软件对一个条形的端部霍尔离子源的磁场进行了模拟计算,并与实验结果进行了比较,获得了满意的结果。通过对模拟结果的分析,获得了对该离子源磁场分布的直观深入的认识,为具体的端部霍尔离子源的改进设计提供了理论指导。 汪礼胜 唐德礼 熊涛 陈庆川关键词:离子束辅助沉积 磁场 数值模拟