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李雪白

作品数:2 被引量:8H指数:2
供职机构:中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电特性
  • 1篇深能级
  • 1篇探测器
  • 1篇能级
  • 1篇紫外探测
  • 1篇紫外探测器
  • 1篇肖特基
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇禁带
  • 1篇宽禁带
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇光谱响应
  • 1篇ZNO
  • 1篇AU
  • 1篇I-V
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底材料

机构

  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 2篇郭俊福
  • 2篇傅竹西
  • 2篇谢家纯
  • 2篇李雪白
  • 1篇钟声
  • 1篇刘峥嵘
  • 1篇何广宏
  • 1篇林碧霞
  • 1篇赵朝阳
  • 1篇刘文齐

传媒

  • 2篇中国科学技术...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Au/n-ZnO/p-SiC紫外探测器的研制和特性分析被引量:3
2007年
采用宽禁带半导体n-ZnO和金属Au作肖特基接触,n-ZnO和同为宽禁带半导体p-SiC形成异质结,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外探测器.测试分析了该器件的光谱响应特性,响应范围为200~400nm,在室温和一定反偏压下,响应峰值为313nm,半宽为65nm.同时测试分析了该器件的I-V特性,室温下,反向工作电压大于5V,反向击穿电压为70V.实验表明,此结构紫外探测器具有良好的紫外响应特性以及较低的反向漏电流和结电容.
何广宏谢家纯郭俊福李雪白钟声林碧霞傅竹西
关键词:宽禁带肖特基光谱响应紫外探测
不同衬底材料的ZnO/Si异质结I-V及光电特性被引量:5
2008年
采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含Mn0.2%)/Si异质结、包含SiC缓冲层的ZnO/SiC/Si和ZnO(含Mn0.2%)/SiC/Si结构,测试了样品的XRD曲线、I-V特性曲线和P-E(光电响应)特性曲线.结果发现ZnO/n-Si结有很低的反向暗电流,SiC缓冲层能提高反向击穿电压,ZnO/p-Si(p+)异质结能有较强的光电响应,ZnO/n-Si(n-)更适合作为大波段区间的光探测器.还发现波长470,480,490nm处类似于声子伴线的光谱结构.
刘峥嵘谢家纯郭俊福李雪白赵朝阳刘文齐傅竹西
关键词:ZNO脉冲激光沉积深能级
共1页<1>
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