李海松
- 作品数:83 被引量:45H指数:2
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- 相关领域:自动化与计算机技术电子电信政治法律电气工程更多>>
- 一种自适应双标分量极值对比判决反馈均衡电路
- 本发明一种自适应双标分量极值对比判决反馈均衡电路,包括两抽头滤波器、阈值自适应单元、比较电路、时延单元、双标幅值均衡判决电路、系数更新单元和缓冲器;两抽头滤波器的输入端用于接收输入信号VIN,两抽头滤波器的输出端分别连接...
- 李海松杨博卢红利尹飞赵雁鹏高利军党秋实杨靓
- 文献传递
- 一种适用于满足三模冗余的物理搭建方法
- 本发明公开了一种适用于满足三模冗余的物理搭建方法,在布局阶段采用了对时钟管理单元进行定制设计,同组三个寄存器在实现中通过脚本得到有效控制,由于现有三模寄存器增加了时钟延时,具有在先进工艺下不同工艺角下延时差异大的特点,降...
- 龙娟赵亮张彬姚岚杨靓李海松
- 文献传递
- 一种适用于SIP应用和开发的系统
- 本发明公开了一种适用于SIP应用和开发的系统,选用自主设计的SIP模块,以替代一般处理器最小系统需要很多外围电路的最小系统设计,简化系统集成,集成了供电接口应用开发模块、存储器接口应用开发模块、采集/转换接口应用开发模块...
- 张群张晓敏崔媛媛李海松黄巾杨靓
- 一种低抖动电流模自偏置锁相环设计
- 2023年
- 基于28 nm CMOS工艺,设计了一款新型电流模自偏置锁相环.重点分析了电荷泵、电压转电流(V-I)模块、电流型数模转换器(Digital to Analog Converter,DAC)及电流控制振荡器(Current-Controlled Oscillator,CCO)的电路设计和功能.采用电流复制反馈偏置(Replica Feedback Bias)技术,实现了带宽自适应,利用可编程的DAC模块降低了输入范围对于系统稳定性的影响,消除分配范围对于环路稳定性的影响,利用前分频器进一步拓宽输入频率范围,实现了宽输入输出频率范围及低抖动电流模锁相环的设计.整体芯片面积为0.07462 mm^(2),采用双电源供电1.8 V/0.9 V,最大功耗为10 mW,输出频率为1 GHz~3.2 GHz.仿真测试结果表明,输入参考频率为50 MHz时,在2.1 GHz中心频率1 MHz频偏处的相位噪声为−98.18 dBc/Hz,rms抖动为1.914 ps.
- 曾勇李海松尹飞
- 关键词:锁相环自偏置电流模低抖动
- 一种支持多模式交换的PCIe交换电路交换方法和装置
- 本发明提供一种支持多模式交换的PCIe交换电路交换方法和装置,对当前接收的交换事务的入端口和出端口的通信速率进行比较,并解析该交换事务的事务类型和包含的数据载荷长度;选择存储转发交换模式,并以存储转发模式交换到出端口;对...
- 翟宝峰董劭颖王剑峰杨靓祁美娟郝奎王蕊琪李海松
- 一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术被引量:1
- 2017年
- 针对延迟锁相环的结构和对单粒子效应敏感性的分析,提出了一种具有锁定检测结构的新型抗SET加固DLL结构,该结构能在满足原有DLL性能指标的前提下实现对SET效应的加固,保证DLL正交四相时钟的正确输出.基于65nm CMOS工艺进行电路设计仿真,结果显示在500 MHz工作频率下,此DLL功能正确,抗SET性能良好,SET阈值达到100 MeV·cm2/mg,在空间辐射环境中具有很好的稳定性.
- 曹天骄吴龙胜李海松韩本光
- 关键词:延迟锁相环电荷泵
- 一种动态可重构的菊花链型中断控制器扩展结构、方法及系统
- 本发明公开了一种动态可重构的菊花链型中断控制器扩展结构、方法及系统,在原先菊花链型中断控制器扩展结构下,加入了动态可重构设计结构,该结构包括可编程中断源模块、选择器和选择控制单元,该结构不影响原先中断控制器结构和性能,增...
- 郭娜娜崔媛媛娄冕黄巾李海松罗敏涛杨靓
- 一种时钟频率监测电路和方法
- 本发明公开了一种时钟频率监测电路和方法,属于集成电路设计领域,本发明通过对两个时钟域下的计数逻辑进行实时精确控制,实现用户预定义频率波动范围的时钟频率监测,同时输出频率监测异常或正常的监测结果信号。本发明使用纯数字电路实...
- 罗敏涛黄九余赵翠华娄冕黄巾李海松李磊王晨昱杨靓
- 一种面向品拼接工艺的可复用版图和拼接补偿校准装置
- 本发明提供一种面向品拼接工艺的可复用版图和拼接补偿校准装置,包括多级依次连接的拼接块,每一级拼接块一一对应连接有斜坡生成补偿电路,斜坡生成补偿电路连接有A/D转换电路;拼接块中均排列设置有多级电路组,每级电路组中包括两根...
- 李婷何杰曹天骄徐晚成袁昕张曼崔双韬雷婉杨靓李海松
- CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析被引量:3
- 2018年
- 针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明,该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫,而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力.
- 李海松蒋轶虎杨博岳红菊唐威
- 关键词:CMOS/SOI单粒子效应