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李冀

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西安建筑科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇氧化铜
  • 2篇氧化铪
  • 2篇通孔
  • 2篇自洁净
  • 2篇自支撑
  • 2篇微米
  • 2篇微米级
  • 2篇滤膜
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米级
  • 2篇聚甲基丙烯酸
  • 2篇聚甲基丙烯酸...
  • 2篇集成化
  • 2篇甲基
  • 2篇甲基丙烯
  • 2篇甲基丙烯酸
  • 2篇甲基丙烯酸甲...
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇丙烯

机构

  • 4篇西安建筑科技...

作者

  • 4篇叶向东
  • 4篇蔡安江
  • 4篇李冀
  • 2篇李斌
  • 2篇贺利乐
  • 2篇张学锋

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种集成化阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种集成化阻变存储器及其制备方法，包括基底、压印层、底电极层、隔离层、阻变层和顶电极层；基底的材质为二氧化硅片或玻璃；压印层和隔离层的材质为聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯材料；金属导电层材质为银或金；阻变层贯穿隔...
叶向东李斌赵毅陈冰李冀蔡安江
一种自支撑自洁净微纳直通孔滤膜及其制备方法
本发明公开一种自支撑自洁净微纳直通孔滤膜及其制备方法，该滤膜上设有若干直通孔；该滤膜中均匀分布有其支撑作用的纳米粒子。本发明利用电场辅助下的模铸工艺来进行加工，可制作尺寸精确可控的直通型微纳过滤孔。该滤膜可方便地过滤微米...
叶向东贺利乐李冀张学锋蔡安江
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一种集成化阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种集成化阻变存储器及其制备方法，包括基底、压印层、底电极层、隔离层、阻变层和顶电极层；基底的材质为二氧化硅片或玻璃；压印层和隔离层的材质为聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯材料；金属导电层材质为银或金；阻变层贯穿隔...
叶向东李斌赵毅陈冰李冀蔡安江
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一种自支撑自洁净微纳直通孔滤膜及其制备方法
本发明公开一种自支撑自洁净微纳直通孔滤膜及其制备方法，该滤膜上设有若干直通孔；该滤膜中均匀分布有其支撑作用的纳米粒子。本发明利用电场辅助下的模铸工艺来进行加工，可制作尺寸精确可控的直通型微纳过滤孔。该滤膜可方便地过滤微米...
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