徐超
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：云南师范大学物理与电子信息学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省教育厅科学研究基金云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学天文地球更多>>
- 一维声子晶体在防止低频噪声中的应用被引量：8
- 2010年
- 应用集中质量法研究了集中质量数n、晶格常数a、组分比t、弹性模量E及密度ρ等因素对一维声子晶体带隙的影响。结果表明,带隙起始频率及带宽随a增加而减小,随t增加而快速增大(当t>1);带隙起始频率随两种材料E差值与ρ差值增加而减小,而带隙截止频率却不变;带隙精度则随n增加而增大。据此设计出一种能屏蔽约59～557Hz范围内低频噪声的复合结构声子晶体。
- 徐超胡丽芬董兴成刘应开
- 关键词：一维声子晶体低频噪声
- 一维铝/非金属、花岗岩/非金属声子晶体的带隙特点被引量：1
- 2010年
- 运用集中质量法计算了一维铝/非金属、花岗岩/非金属声子晶体的振动带隙。结果表明:在相同条件下,铝、花岗岩与同一非金属组合成的声子晶体带隙几乎相同,而弹性模量、泊松比对带隙结构几乎无影响,带隙主要由这两种材料的密度决定。
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- 关键词：声子晶体振动带隙
- 材料吸收对一维掺杂声子晶体禁带和缺陷模的影响
- 2011年
- 在考虑材料吸收的基础上,利用转移矩阵法计算一维掺杂声子晶体的透射率,研究材料的衰减系数对声子晶体禁带和缺陷模的影响。结果表明:材料的吸收不影响禁带的中心位置和宽度,也不影响缺陷模的中心位置;由于材料的吸收,禁带两侧边缘的透射率减小(均小于1);禁带两侧边缘的透射率和缺陷模的透射率随材料衰减系数的增加而减小,而缺陷模的半高宽随衰减系数的增加而增大;介质的吸收比杂质的吸收对禁带的影响显著,杂质的吸收比介质的吸收对缺陷模的影响显著。
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- 关键词：声子晶体禁带缺陷模
- Er掺杂的ZnS纳米带的合成和光致发光性质被引量：2
- 2010年
- 以金为催化剂,利用热蒸发方法合成掺杂铒(Er)的ZnS纳米带。X射线衍射(XRD)结果表明Er掺杂的ZnS纳米带仍具有六方纤锌矿结构。采用激发波长为244nm激发样品,发现Er掺杂的ZnS纳米带的光致发光(PL)谱中共有5个发光峰,它们的位置为437,520,549,673和805nm,分别对应ZnS纳米带本身缺陷,Au离子掺杂,以及Er^(3+)离子~4S_(3/2)-~4I_(15/2),~4F_(9/2)-~4I_(15/2)和~4I_(9/2)-~4I_(15/2)跃迁引起的发光。
- 董兴成徐超胡丽芬刘应开
- 关键词：光致发光
- 多层掺杂对一维声子晶体缺陷模的影响被引量：1
- 2010年
- 利用转移矩阵法研究了多层掺杂情况下一维声子晶体的缺陷模特征。研究发现:随着掺杂层数的变化,缺陷模的数目、透射峰和半高宽都有明显的变化。一层掺杂时,只出现一个中心缺陷模,二层掺杂和三层掺杂时除了出现中心缺陷模外,在中心缺陷模的两侧还出现了两个对称缺陷模;中心缺陷模的中心位置随掺杂层数的增加不变,对称缺陷模的中心位置随掺杂层数的增加向禁带中央移动。中心缺陷模和对称缺陷模的透射峰和半高宽都随掺杂层数的增加而减小。
- 胡丽芬徐超董兴成刘应开
- 关键词：声子晶体转移矩阵缺陷模
